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联电:自主研发DRAM计划不变 明年Q4完成首阶段开发

编辑:Helan 发布:2017-09-25 11:50

联电遭存储器大厂美光指控妨碍营业秘密,对此,联电共同总经理简山杰表示,对司法程序进行中的案件不应多言,但联电一向以保护智财产著称,也禁止员工不得使用其它公司营业机密公司;他强调,自主研发 DRAM的计划不会因此而改变,预计明年第四季完成第一阶段的技术研发;另外,展望公司未来发展蓝图,追求获利成长仍为首要目标。

简山杰甫于今年 6 月走马上任,对于因美光指控窃密而遭起诉一事,他指出,对司法程序进行中的案件不应多言,不过,联电极有可能是遇到商业间谍,高度怀疑涉案员工带枪投靠是假的,可能构陷入罪才是真的,意图妨碍联电DRAM研发计划,不过,联电坚持自主研发DRAM的计划不会改变,预计将会依计划在明年第四季完成第一阶段技术开发。

而展望联电未来发展蓝图,简山杰表示,联电过去专注于先进制程投资与研发,不过,新的方向是以追求获利成长为首要目标,不会再跟同业竞争先进制程。而联电也已订下有短中长期计划,短期为专注核心技术和提升营运效率,快速改善体质与提升获利;中期目标为扩大市占,而长期目标仍是开发新技术。

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