2010年是DRAM产业世代交替年,不但是2Gb芯片要取代1Gb芯片的产品世代交替,制程技术也全数转入50/40奈米制程,逐渐淘汰70/60奈米旧制程技术;不论是产品或是制程技术的世代交替,几乎都是2大韩系DRAM厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)引领潮流。
2Gb芯片2010年正式取代1Gb芯片登上主流之路,原本最早量产2Gb芯片的是三星和海力士两大系大厂,2010年下半年开始美光(Micron)和尔必达(Elpida)在50奈米和45奈米制程陆续转进成功,且开始大量产出下,也正式加入2Gb芯片之列,全球4大DRAM阵营同步进入世代交替。
在制程技术方面,尔必达2010年上半技术还是以65奈米制程为主,之后导入微缩版63奈米制程,当时没有直接跳进50奈米或是40奈米制程,主要是考虑浸润式曝光机(Immersion Scanner)价格太高,加上机台严重缺货,因此先导入微缩版的63奈米因应。
尔必达的63奈米相较65奈米成本可下降20%,且几乎不需要换够新机器设备,但最大缺点是63奈米制程只能生产1Gb芯片,不能生产2Gb芯片,也因此尔必达在45奈米制程量产后,63奈米制程立刻功臣身退。
尔必达在下半年已成功转进45奈米制程,世代交替任务完成一大半,之后是协助转投资的瑞晶和合作伙伴力晶也完成制程世代交替,将12吋晶圆厂的产能全数转进45奈米制程。
美光2010年下半年也正式转进50奈米制程,且下一世代的42奈米制程是同步进行,以美光的技术来看,42奈米是50奈米制程的微缩版本,因此公司对新技术相当有信心;再者,随着50奈米制程大量产出,美光2Gb芯片也大量产出,大量加入市场大战,2011年42奈米制程更将跃升主流。