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3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构,3D结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品,制程35nm,可以堆叠24层,容量可达128Gb V-NAND,到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品,于2015下半年量产;美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样,量产时间待定;SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash,也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表,但目前除了三星已开始量产外,其他芯片厂均在2015年量产,未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主,直到1znm的工艺。

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股市快讯 更新于: 07-27 05:58,数据存在延时

存储原厂
三星电子65900KRW-0.15%
SK海力士266000KRW-1.30%
铠侠2457JPY-4.25%
美光科技111.260USD-0.42%
西部数据68.820USD-0.29%
闪迪42.480USD+1.00%
南亚科技43.25TWD+0.58%
华邦电子17.45TWD+0.58%
主控厂商
群联电子521TWD-0.38%
慧荣科技72.800USD-1.41%
联芸科技43.04CNY+2.33%
点序52.8TWD-1.12%
品牌/模组
江波龙87.20CNY+1.64%
希捷科技150.890USD-1.20%
宜鼎国际225.0TWD-0.44%
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威刚科技90.9TWD-0.87%
世迈科技25.160USD+1.04%
朗科科技24.89CNY+2.01%
佰维存储64.78CNY+0.43%
德明利87.30CNY+3.69%
大为股份17.34CNY-0.86%
封测厂商
华泰电子38.90TWD-1.52%
力成140.0TWD+0.72%
长电科技34.82CNY+0.35%
日月光153.5TWD-1.29%
通富微电26.57CNY+0.72%
华天科技10.39CNY+0.87%