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3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构,3D结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品,制程35nm,可以堆叠24层,容量可达128Gb V-NAND,到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品,于2015下半年量产;美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样,量产时间待定;SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash,也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表,但目前除了三星已开始量产外,其他芯片厂均在2015年量产,未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主,直到1znm的工艺。

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股市快讯 更新于: 10-28 01:41,数据存在延时

存储原厂
三星电子102000KRW+3.24%
SK海力士535000KRW+4.90%
铠侠9810JPY+11.73%
美光科技218.020USD-0.46%
西部数据125.600USD-2.96%
闪迪179.130USD-3.78%
南亚科技120.0TWD+9.59%
华邦电子50.9TWD+9.94%
主控厂商
群联电子968TWD+10.00%
慧荣科技103.290USD+4.20%
联芸科技63.77CNY+4.30%
点序81.9TWD+3.02%
品牌/模组
江波龙266.00CNY+19.82%
希捷科技230.600USD-1.50%
宜鼎国际447.0TWD+4.81%
创见资讯137.0TWD+4.58%
威刚科技205.0TWD+9.92%
世迈科技22.720USD+1.43%
朗科科技34.90CNY+5.18%
佰维存储127.81CNY+7.31%
德明利238.61CNY+10.00%
大为股份25.58CNY+10.02%
封测厂商
华泰电子49.25TWD+4.68%
力成160.5TWD+7.00%
长电科技42.09CNY+2.78%
日月光202.5TWD+3.32%
通富微电43.94CNY+4.92%
华天科技12.47CNY+4.53%