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3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构,3D结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品,制程35nm,可以堆叠24层,容量可达128Gb V-NAND,到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品,于2015下半年量产;美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样,量产时间待定;SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash,也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表,但目前除了三星已开始量产外,其他芯片厂均在2015年量产,未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主,直到1znm的工艺。

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股市快讯 更新于: 10-07 15:00,数据存在延时

存储原厂
三星电子89000KRW+3.49%
SK海力士395500KRW+9.86%
铠侠5900JPY-6.65%
美光科技190.960USD+1.67%
西部数据125.280USD-4.59%
闪迪121.170USD-5.64%
南亚科技91.2TWD+9.88%
华邦电子42.65TWD+9.92%
主控厂商
群联电子874TWD+5.43%
慧荣科技99.990USD+1.15%
联芸科技65.80CNY+7.03%
点序69.2TWD+8.46%
品牌/模组
江波龙178.03CNY+20.00%
希捷科技242.830USD-3.94%
宜鼎国际335.0TWD-1.33%
创见资讯118.5TWD+4.41%
威刚科技174.0TWD+0.58%
世迈科技29.300USD+5.59%
朗科科技29.10CNY+2.90%
佰维存储104.30CNY+9.34%
德明利204.69CNY+10.00%
大为股份19.71CNY+5.46%
封测厂商
华泰电子48.45TWD+2.32%
力成158.0TWD+3.95%
长电科技44.09CNY+7.83%
日月光173.5TWD+4.83%
通富微电40.17CNY+5.21%
华天科技11.78CNY+4.16%