应用材料公司宣布与英特尔合作开发下一代晶体管、互连线和先进封装技术。联合研究工作将在应用材料公司位于硅谷的EPIC中心和英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的研发园区进行。
两家公司将共同开发用于人工智能计算的先进逻辑工艺的新材料、工艺技术和器件结构。合作范围不仅包括晶体管成型工艺,还包括芯片内部互连线的微型化。
在先进封装方面,双方将基于英特尔的“Foveros”技术联合开发3D堆叠技术。其目标是通过提高芯片间连接密度并改善电源和散热性能,为高性能计算平台提供支持。具体的投资金额和量产计划尚未披露。
为了提升人工智能半导体的性能,除了晶体管小型化之外,还必须解决芯片内部布线、电源供应和散热等问题。随着垂直堆叠多个芯片的先进封装技术日益重要,优化材料、设备和工艺的需求也随之增长。
英特尔作为EPIC中心的创始合作伙伴参与其中。EPIC是一个研究中心,设备供应商和半导体制造商在此共同开发材料、工艺和设备技术。应用材料公司计划于今年完成运营准备工作。该计划旨在通过让客户尽早使用下一代设备和工艺技术,缩短从研究成果到量产的时间。
三星电子和SK海力士也参与了应用材料EPIC中心项目。应用材料公司于去年2月宣布三星电子将参与该项目,并于今年3月与SK海力士签署了一项长期研发合作协议,共同开发下一代DRAM和高带宽存储器HBM。

