台积电披露HBM4制造新细节

半导体 网络 AVA 2024-05-20 11:53

台积电在2024年欧洲技术研讨会上宣布,将使用改良版的N12FFC+和N5制程技术生产HBM4基础芯片,旨在提升性能和功耗效率。

其中,N12FFC+制程非常适合实现 HBM4 性能,使内存供应商能够构建 12-Hi(48 GB) 和 16-Hi 堆栈(64 GB),每堆栈带宽超过 2 TB/秒。N12FFC+ 上的 HBM4 基础芯片将有助于使用台积电的 CoWoS-L 或 CoWoS-R 先进封装技术构建系统级封装 (SiP),该技术可为内插件提供高达 8 倍网纹尺寸的空间,足以容纳多达 12 个 HBM4 存储器堆栈。

此外,存储厂商还可选择台积电 N5 工艺来生产 HBM4 基础芯片。采用 N5工艺的基础芯片将包含更多的逻辑,功耗更低,性能更高。N5制程技术将使HBM4能够实现更小的互连间距和更高的内存性能,尤其适用于AI和高性能计算(HPC)芯片。

截止目前,SK海力士已确认与台积电在下一代高带宽存储器(HBM)的量产上合作。其中,台积电负责HBM4基础芯片的半导体前端工艺(FEOL)、硅通孔(TSV)形成、BEOL等,而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片(KGSD)测试等后续工艺则在SK海力士自家的后端工艺工厂进行。

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⊙19小时前 17:05

按照往年,双11购物节本是传统3C冲刺销量的重要窗口期。然而作为渠道PC整机/DIY组装重要配件之一的SSD,自去年四季度起的近半年时间里跟随资源涨价而大幅提价,尽管Q2因受淡季需求拖累价格转跌,但前期累计的涨幅过高,当前价位仍与去年涨价前的价格水平存在明显差距。即便借助双11购物节平台补贴叠加其他优惠,对于消费者而言是高价促销,除非刚需、实难激起多数用户购买欲。同时,今年Q3中下旬,个别渠道存储厂商为缓解业绩压力而率先杀价抢单,但仅为个例未拖累整体市场。不过国庆长假过后,部分小型厂商相继加入杀价行列,国内市场卖压逐渐增强,近期更多存储厂商被动跟进低价以推动出货,同时,资源价格也有所松动,多因素影响下本周渠道SSD价格全面出现较大幅度下调。Q4作为存储厂商完成全年度业绩目标的最后节点,面对疲弱的市场需求以及同业竞争压力,Q4出货也将越发艰难、利润挤压也将逐渐显性化。

SSD(渠道市场):Channel SSD 120GB SATA 跌 11.76% 至 $15.00,Channel SSD 240GB SATA 跌 11.11% 至 $32.00,Channel SSD 480GB SATA 跌 7.69% 至 $60.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 13.16% 至 $33.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 6.67% 至 $70.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 5.17% 至 $110.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 5.00% 至 $76.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 7.69% 至 $120.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 4.00% 至 $240.00。