瑞萨电子( Renesas Electronics)与晶圆代工大厂台积电 (TSMC)日前共同宣布,双方已签署协议,扩大在微控制器 (MCU)技术方面的合作至40奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程,以生产应用于下一世代汽车及家电等消费性产品的微控制器。
瑞萨电子先前已同意采用台积电90奈米嵌入式快闪记忆体制程为该公司生产微控制器,在此40奈米微控制器合作案中,瑞萨电子将委托台积电生产40奈米及更先进制程的微控制器。瑞萨电子与台积电将共同合作在MCU平台与制造所需的先进技术上取得领先地位,结合瑞萨电子支援高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide -Silicon,MONOS)技术与台积电高品质技术的支援,包括先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程与灵活的产能调度。
此外,藉由将此MONOS 制程平台提供给遍布全球的其他半导体供应商,包括无晶圆厂(Fabless)公司及整合元件制造商(IDM),瑞萨电子与台积电将致力于建置一个设计生态环境,并且扩大客户群。
瑞萨电子资深副总岩元伸一表示:「为了达到全球业务持续成长的目标,我们有信心台积公司能够提供我们产品迅速量产的卓越优势,并且给予最大的弹性,因应市场剧烈波动时的需求。根据去年历经日本大地震冲击多条生产线与客户业务之后所学习到的经验,我们已经加快晶圆厂网路(Fab Network)的布建,成为公司营运持续计划(Business Continuity Plan,BCP)之中的一环。藉由此次的合作结合双方领先世界的技术,我们将建造一个能够为客户稳定供货的架构,身为微控制器市场的领导厂商,我们亦将推动市场成长,致力为MCU打造一个设计生态环境。」
台积公司全球业务暨行销资深副总经理陈俊圣表示:「瑞萨电子是微控制器市场的领导厂商之一,这次的合作将协助提供瑞萨电子新产品推出时所需的效能,满足其客户对品质及可靠性的期待。」
基于双方长久以来稳固的合作关系,台积电提供瑞萨电子具有成本效益且非常可靠的制程能力,将快闪记忆体整合于单一微控制器上。相较于目前的90奈米制程,采用40奈米制程生产的微控制器产品具备更高速、更低功耗的优势,而且晶片尺寸缩小逾50%,这些特性对于整合型微控制器的设计格外重要,该设计将逻辑晶片、记忆体、及其他系统零组件压缩至极小的面积上。