MCU内嵌Flash内存的技术趋势

技术知识 中国闪存市场 Helan 2010-11-04 08:32

因应MCU成长快速及程序数据储存需要，MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势，MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌Flash IP制程技术，为下一代Flash MCU带来的技术变革。

Flash MCU出货比重过半掌握Flash成为MCU开发关键

因应MCU成长快速，所带动的程序代码与数据储存需要，MCU内嵌内存类型也从早期Maskrom、EPROM、EEPROM到Flash内存。据市调机构预估，内嵌Flash内存的MCU在2010年出货比重超过50%。也因此MCU大厂也急于掌握内嵌Flash内存相关IP与制程技术。像Microchip就购并闪存大厂SST。提供MCU内嵌Flash的常忆科技(Chingistek)，则提出pFLASH技术平台，以2T PMOS半导体技术为统一性平台，开发晶圆代工厂制程验证过的高密度e2Flash以及e2Logic等IP，授权给MCU业者做内嵌Nor Flash的解决方案。

内嵌Flash的技术关键兼容、成本、耐用度

良好的MCU内嵌Flash技术关键，在于提供MCU主控端兼容性，最小电路面积、低制造成本、高耐久性抹写次数、高质量与信赖度及易于给晶圆厂代工以及依比例缩放特性。目前晶圆厂代工Flash制程大多是传统NMOS半导体制程技术，并再细? 屿侧郱瓡頠s程(Standard)以及双聚合物制程(Double Poly)，前者提供弹性程序与数据储存空间，后者则提供较大储存空间、较快读写时间、较长读写寿命。

以常忆pFusion提供2-T PMOS半导体制程来说，分别就标准逻辑制程提出e2Logic以及双聚合物制程的e2Flash技术，两者较传统NMOS半导体制程的Flash能降低抹除/写入电流以及耗电量，执行效能可达到内嵌EEPROM MCU的水平！且避免写入数据时引起造成邻近记录单位干扰。

e2Flash技术与竞争优势

进一步检视e2Flash内嵌技术，它提供单一记录细胞元低于0.1微安培写入电流(<0.1μA/cell)，单一字组程序化时间低于20μs，区块抹除时间低于2ms，并提供20年保存期限与至少20万次抹写周期，工作温度以0.18微米制程为-40~105℃，0.13微米制程下则可从-40~125℃。

以0.18、0.13微米与90奈米制程列举1Mb(128KB) e2Flash电路面积仅1.176、0.98、0.84mm2，2Mb(256KB)则仅占1.91、1.41、1.34mm2，跟目前1.5T nMOS Flash或2T EEPROM等技术相比，e2Flash除了程序化电流比2T EEPROM较大之外，在整体读写速度、耐久度与晶粒面积上，e2Flash也有竞争优势。

常忆科技嵌入式非挥发忆体事业部总经理张有志表示，在维持4ppm不良率情况下，目前e2Flash在2010年出货= 700K, 预估2010年可达1M。目前0.13微米制程预估2011年Q1送样，同时在2012年进一步提升到65奈米制程。

e2Logic提供弹性化配置与高耐受度

在不使用模拟讯号转换的标准逻辑闸制程(Standard Logic)下，e2Logic的Flash IP技术，提供程序代码与数据储存区弹性化配置的优势，以及在-40~105℃工作温度下，数据保存时间确保10年，以及2万次抹写周期的耐受度。

目前常忆提供的0.18微米制程e2Logic Flash IP，工作电压1.8/3.3V下读取时间40奈秒，位写入时间为30或500毫秒(程序或数据)，抹除时间200毫秒，每MHz下读取电流为200μA，程序化与抹除电流均为2mA，10万次抹写与10年。以64KB程序+512KB数据配置面积1.52mm2，32KB程序+256KB数据配置电路面积更可缩至0.85mm2。

e2Logic优势在于无须多加光罩，适合低功耗快速存取的MCU应用设计，且提供高耐用度与数据保存寿命。目前0.18微米1.8/3.3V在2010年Q4针对客户送样，1.8V/5V将于2011年Q1送样，同时65奈米制程预定于2012年Q1送样。

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简讯快报

⊙2小时前 18:07

华为发布Pura 90系列全新型号——HUAWEI Pura 90 Plus，新机首发搭载麒麟9025旗舰芯片，出厂预装HarmonyOS 7，依托软硬芯云一体化调度，整机性能提升19%。存储方面，新机搭载超空间存储技术，通过智能去重与压缩机制盘活存储空间，256GB版本最多可节省25GB，512GB最多节省59GB，1TB最多节省110GB。

Pura 90 Plus提供三种配置：12GB+256GB售价5499元，12GB+512GB售价5999元，12GB+1TB售价6999元。双十一焕新季期间（10月28日至11月30日）限时优惠至高300元，焕新优惠价5199元起。

⊙2小时前 17:31

联电第三季度营收742.4亿元新台币，预估750.7亿元新台币；第三季度净利润164.3亿元新台币，预估171.6亿元新台币；第三季度每股收益1.32元新台币，预估1.36元新台币。

⊙3小时前 17:01

乘联分会数据显示，10月1-25日，全国乘用车市场新能源车零售75.3万辆，同比去年10月同期下降13%，较上月同期下降1%，今年以来累计零售851.1万辆，同比下降13%；10月1-25日，全国乘用车厂商新能源批发100.8万辆，同比去年10月同期增长3%，较上月同期增长6%，今年以来累计批发1,245.8万辆，同比增长9%。

⊙3小时前 16:46

英伟达和甲骨文宣布计划将Oracle 云基础设施(OCI) 超级集群扩展至千兆瓦级，采用NVIDIA Vera Rubin NVL72系统，以满足客户对 AI 训练、推理和智能体应用日益增长的需求。OCI 还计划推出 NVIDIA HGX Rubin NVL8，该方案采用基于 x86 架构的服务器配置，通过 NVLink 连接八个 Rubin GPU。该平台计划配备两颗 64 核英特尔至强 6 处理器、4 TB DDR5 内存和 6.4 Tbps 高速 RDMA 网络，为 AI 训练、微调和推理提供灵活的部署方案。

⊙3小时前 16:32

希捷公布截至2026年10月2日的2027财年第一季度业绩：营收42.33亿美元，同比增长61%；非GAAP毛利率57.8%，营业利润率50.7%；非GAAP每股收益7.68美元，创历史新高；自由现金流约15亿美元。其中，数据中心业务营收34亿美元，占总营收81%，同比增长63%，近线存储出货198艾字节创新高。希捷预计第二财季（2026年10-12月）营收47亿至49亿美元，非GAAP每股收益9.00至9.40美元，均高于市场预期。管理层表示，绝大部分近线产能已通过长期协议锁定至2028年，部分云客户合约延伸至2030年。

⊙4小时前 16:17

据外媒报道称，长鑫存储已向多家国内人工智能芯片设计公司提供HBM3E样品，并计划在未来两个月内启动小批量生产。知情人士透露，目前长鑫存储HBM3E的良率约为20%-30%。为平衡制造难度与客户验证进度，长鑫存储向客户提供了两种版本：一种是标准设计产品，另一种是在设计上进行调整、以提高良率为目标的改进型产品。测试结果显示，其HBM3E性能更接近上一代HBM3。由于良率偏低，生产成本较高，长鑫存储HBM3E的价格预计将高于海外竞争对手同类产品。

⊙5小时前 14:38

据外媒报道，前英特尔首席执行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）正通过风投机构 Playground Global，支持内存初创公司 Nagare Labs 开发下一代存储技术 Z2RAM。

Z2RAM 由佐治亚理工学院研究者苏曼 · 达塔与于世萌创立的 Nagare Labs 研发，采用氧化物半导体材料，并计划通过 3D 混合键合直接集成在逻辑芯片上方。其关键卖点是使用标准后端工艺（BEOL），无需极紫外光刻（EUV）即可通过单次曝光形成多层存储结构，有望提升密度并降低制造复杂度与成本。

目前该技术仍处于实验室原型阶段，计划在四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品，并在未来十年内实现商业化交付。

⊙5小时前 14:25

据《日经亚洲》报道，惠普、华硕、宏碁等电脑厂商正应对零部件成本暴涨的压力，将部分产能从泰国、越南迁回中国，同时和新一代代工厂展开合作。中国拥有成熟的产业工人队伍、更低的成本以及完备的供应链体系，零部件获取渠道齐全，仍是电脑生产的最优选择。

⊙8小时前 11:54

受SK海力士Q3营收首破100万亿韩元、营业利润创纪录提振，截至发稿，SK海力士股价上涨10%，三星电子涨近9%。截至今日上午收盘，江波龙涨4.69%，佰维存储涨5.74%，联芸科技涨6.27%，德明利涨3.17%，大普微涨2.24%，长鑫科技涨1.77%。

⊙9小时前 10:26

长鑫科技已被纳入上证综合指数，权重为4.67%，当前为指数第一大权重股。长鑫科技也被纳入上证科创板综合指数，权重为15.74%，也为第一大权重股。

⊙9小时前 10:23

Cerebras Systems与甲骨文宣布达成合作，计划于2027年在甲骨文云基础设施（OCI）上提供Cerebras高速AI推理服务，面向AI实验室、企业及开发者。双方称，更快的推理速度有助于降低多步骤智能体工作流的延迟，提升AI应用的响应能力。

⊙9小时前 10:21

SK海力士分析认为，在软件开发、客户服务、搜索等多个领域，AI带来的生产效率提升和新的营收增长，推动AI使用量不断增加，进而带动基础设施投资扩大，这一良性循环结构已经确立。此外，AI投资主体已越过依赖于少数企业的初期阶段，正扩展至普通企业和国家层面，预计全球AI数据中心基础设施市场未来将持续稳定增长。

对于存储市场，SK海力士展望短期由企业级和消费级AI引领需求，中长期则由自动驾驶、机器人等物理AI（Physical AI）驱动，市场将延续增长态势。

另一方面，SK海力士认为供给端未能跟上市场增长速度。由于先进制程技术难度不断提升，且新建生产设施耗时较长，预计到2030年为止，供不应求的格局将持续。

⊙12小时前 07:50

SK海力士发布截至2026年9月30日的2026财年第三季度财务报告：营业收入为104.6155万亿韩元，营业利润为83.3338万亿韩元，净利润为39.7756万亿韩元。2026财年第三季度营业利润率为80%，净利润率为38%。(K-IFRS为准)

该季度SK海力士营业收入和营业利润再次双双刷新季度历史最高纪录。特别是营业收入历史上首次突破100万亿韩元大关。营业收入和营业利润环比分别增长32%和38%。

截至第三季度末，现金及现金等价物达114.5万亿韩元，较上季度末增加26.5万亿韩元，借款额减少2.8万亿韩元，降至15.8万亿韩元。据此，净现金头寸扩大至98.7万亿韩元。

⊙昨天 10-27 18:35

君正股份公告称，2026年第三季度实现营业收入31.45亿元，同比增长164.85%，环比增长约31.2%；归属于上市公司股东的净利润14.19亿元，同比增长2595.49%，环比增长61%。前三季度，公司实现营业收入71.02亿元，同比增长106.66%；归属于上市公司股东的净利润26.16亿元，同比增长922.95%。

⊙昨天 10-27 18:24

Applied Materials美国当地时间10月26日宣布将追加对荷兰半导体封装设备制造商 Besi 的投资，使其对后者的持股比例从此前的 9% 约升至 20%。应用材料同时表示，当前无意进一步扩大在 Besi 的持股，也无意寻求 Besi 董事会的席位。

⊙昨天 10-27 18:01

华勤技术公告称，第三季度营收为722.95亿元，同比增长60.86%；净利润为13.24亿元，同比增长9.43%。前三季度营收为1660.14亿元，同比增长28.81%；净利润为43.23亿元，同比增长39.53%。

业绩变动主要系公司业务规模持续增加，其中数据业务本期收入224.56亿元，同比增长228%，超节点产品实现收入61.91亿元；此外，营业收入规模增加以及来自于产业链上下游投资的贡献共同导致利润总额、净利润上升。

⊙昨天 10-27 17:06

当前市场流通的eMMC货源种类繁杂，既包括原厂和国产品牌的常规资源方案，也充斥着低端资源方案及二手产品，货源品质参差不齐，报价混乱不堪。随着eMMC现货贸易价持续下探，如贸易端低价的64GB eMMC与存储厂商面向客户出货价甚至存在近10美金差距。存储厂商的下游客户对贸易端价格变动保持高度敏感，甚至个别小客户已转向贸易端寻求低价产品，大客户即便个别有需求，但期望存储厂商相关eMMC产品定价需锚定贸易价，导致出货十分艰难。整体上看，本月市场需求环比上月更加恶化，存储厂商实际出货价格也仍处于小跌状态。本周64GB及以下容量eMMC价格小幅调低。LPDDR方面，海外原厂LPDDR5X资源延续涨价策略，加上7500、8533 MT/s等高频率LPDDR5X受二手市场影响较小，其价格相对稳定，部分存储厂商尝试跟随成本拉涨相关产品价格。但LPDDR4X和6400MT/s LPDDR5X受基于低端资源生产的方案及低价二手产品冲击较为严重，因此卖压更加明显。不过综合来看，本周LPDDR4X/5X整体基本稳定。

eMMC：eMMC 64GB 5.1 跌 4.65% 至 $20.50；

UFS：UFS 2.2 64GB 跌 4.26% 至 $22.50。

⊙昨天 10-27 17:05

尽管上周国产DDR次级颗粒价格出现略微松动，海外原厂颗粒价格则继续上涨，国内外DDR资源价格走势开始分化，但原厂供应普遍趋紧并且后续将持续减少。当然，基于海外原厂颗粒生产的DDR5内存条定价更高。而当前高价已然触及多数亚太地区行业客户的最大承受范围，仅个别客户新开高端项目释出少量需求，不过价格谈判仍在拉锯。不同的是，如欧洲等海外市场PC客户具备更高的价格接受度，但方案导入验证通过需要一定的时间。SSD方面，因design in资源价格普遍维持高位，甚至个别原厂欲继续调涨，基于资源成本始终居高不下，尽管需求十分有限，但存储厂商短期内坚守稳住价格。因此，本周行业内存条和SSD价格持平。

⊙昨天 10-27 17:05

按照往年，双11购物节本是传统3C冲刺销量的重要窗口期。然而作为渠道PC整机/DIY组装重要配件之一的SSD，自去年四季度起的近半年时间里跟随资源涨价而大幅提价，尽管Q2因受淡季需求拖累价格转跌，但前期累计的涨幅过高，当前价位仍与去年涨价前的价格水平存在明显差距。即便借助双11购物节平台补贴叠加其他优惠，对于消费者而言是高价促销，除非刚需、实难激起多数用户购买欲。同时，今年Q3中下旬，个别渠道存储厂商为缓解业绩压力而率先杀价抢单，但仅为个例未拖累整体市场。不过国庆长假过后，部分小型厂商相继加入杀价行列，国内市场卖压逐渐增强，近期更多存储厂商被动跟进低价以推动出货，同时，资源价格也有所松动，多因素影响下本周渠道SSD价格全面出现较大幅度下调。Q4作为存储厂商完成全年度业绩目标的最后节点，面对疲弱的市场需求以及同业竞争压力，Q4出货也将越发艰难、利润挤压也将逐渐显性化。

SSD(渠道市场)：Channel SSD 120GB SATA 跌 11.76% 至 $15.00，Channel SSD 240GB SATA 跌 11.11% 至 $32.00，Channel SSD 480GB SATA 跌 7.69% 至 $60.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 13.16% 至 $33.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 6.67% 至 $70.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 5.17% 至 $110.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 5.00% 至 $76.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 7.69% 至 $120.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 4.00% 至 $240.00。

⊙昨天 10-27 17:03

上游资源方面，贸易端虽未有大批量wafer集中抛售，但市场自国庆节后疲态尽显，买方警惕心理渐强，采购愈发趋于谨慎，个别投机者通过压价以偏低的价格买入，从而快进快出赚取差价，导致近期现货wafer贸易价加速回落。截至目前，多数512Gb TLC/1Tb QLC wafer贸易价与原厂官价相差高达30%以上。尽管原厂官价始终高位坚挺尚未松动，但存储厂商普遍库存积压，随着wafer官价和贸易价的差距进一步拉大，即便个别对特定资源存在少量备货需求，将优先考虑从价格更有优势的贸易市场补充库存，此举亦能同时有效摊薄整体采购成本。而原厂虽然多数以控货的方式进行稳价，但不可忽视的是，wafer贸易价正持续成为部分存储厂商向原厂采购资源的重要参照物，双方价格预期差距将进一步拉大，原厂态度强硬不愿让价下部分wafer官价也将有价无市、难以成交。为适当反映现货wafer价格变化，CFM今日1Tb QLC、512Gb TLC wafer价格分别小幅调降，具体来看，

Flash Wafer：1Tb QLC 跌 4.00% 至 $24.00，512Gb TLC 跌 4.76% 至 $20.00。