相变化存储器相关介绍

技术知识 中国闪存市场 Helan 2010-05-05 08:01
相变化存储器名称有很多种,包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等,全球的相变化存储器分为3大阵营,包括恒忆(Numonyx)/英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、旺宏/IBM等,其中恒忆和旺宏都称为PCM,三星的产品则称为PRAM。
相变化存储器最早发明人为S. R. Ovshinsky,于1966年代表美国公司Energy Conversion Devices(ECD)提出1篇美国专利中表示,在硫属化合物(Chalcogenide)中,结晶相与非晶相之间的光学性质及导电度都有显著的不同,而这两项间可进行快速、可逆且稳定的转换,适合做开关(switching)及记忆(memory)之用。
相变化存储器需要新材料,也就是硫属化合物即锗硒锑GST,在结晶态与非结晶态这两种高、低不同的相变化(Phase Change)区分中来当作0与1,进而做为存储器用途。与现有的存储器NAND Flash和DRAM相比较,仍是各有幽缺点。
日前三星宣布将相变化存储器用在智能型手机用的MCP(Multi-Chip Package)芯片,目的是用来取代NOR Flash角色,目前推出512Mb产品,且计划在年底前大量导入手机市场,而三星这样的大动作,也宣示相变化存储器不再只是纸上谈兵的下世代存储器技术,是真正可以导入终端市场的技术。
再者,恒忆也宣布推出第2款新的相变化存储器,并成立新的副品牌Omneo,主要是针对需要量身订做的客户来服务,应用范围包含有线及无线通讯、消费电子产品、个人计算机(PC)和嵌入式应用产品等,也是积极将相变化存储器导入市场的另一案例。

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⊙昨天 10-27 17:05

按照往年,双11购物节本是传统3C冲刺销量的重要窗口期。然而作为渠道PC整机/DIY组装重要配件之一的SSD,自去年四季度起的近半年时间里跟随资源涨价而大幅提价,尽管Q2因受淡季需求拖累价格转跌,但前期累计的涨幅过高,当前价位仍与去年涨价前的价格水平存在明显差距。即便借助双11购物节平台补贴叠加其他优惠,对于消费者而言是高价促销,除非刚需、实难激起多数用户购买欲。同时,今年Q3中下旬,个别渠道存储厂商为缓解业绩压力而率先杀价抢单,但仅为个例未拖累整体市场。不过国庆长假过后,部分小型厂商相继加入杀价行列,国内市场卖压逐渐增强,近期更多存储厂商被动跟进低价以推动出货,同时,资源价格也有所松动,多因素影响下本周渠道SSD价格全面出现较大幅度下调。Q4作为存储厂商完成全年度业绩目标的最后节点,面对疲弱的市场需求以及同业竞争压力,Q4出货也将越发艰难、利润挤压也将逐渐显性化。

SSD(渠道市场):Channel SSD 120GB SATA 跌 11.76% 至 $15.00,Channel SSD 240GB SATA 跌 11.11% 至 $32.00,Channel SSD 480GB SATA 跌 7.69% 至 $60.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 13.16% 至 $33.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 6.67% 至 $70.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 5.17% 至 $110.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 5.00% 至 $76.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 7.69% 至 $120.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 4.00% 至 $240.00。