快闪存储器简单介绍

技术知识 中国闪存市场 Helan 2009-10-22 16:45
快闪存储器属于被称为不易失存储器的半导体存储器。所有的半导体存储器都可以归为两种不同的基本类型:仅在被连接到电池或其他电源时才能保存数据的存储器(易失存储器),以及即使在没有电源的情况下仍然能够保存数据的存储器(不易失存储器)。
DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)尽管有容易丢失数据的缺点,但从市场规模来说,它们却是最重要的存储器类型。由于它们的快速写入能力,使它们被作为“工作”存储器来使用。对于DRAM 来说,其优点在于它能够在极小尺寸的存储单元中存储极大容量的数据。现在,256M比特的DRAM已经在商业上应用,而1G比特的设备将很快出现。对于SRAM来说,其优点在于极低的制造费用(不需要刷新电路),以及某些类型存储器的数据读取速度,其特点是比DRAM快一个量级。DRAM和SRAM都是个人计算机的基本部件。
快闪存储器基本单元架构
尽管所有的快闪存储器都使用相同的基本存储单元,有许多不同的途径将单元在总体存储阵列中互连。其中最重要的两种架构被称为NOR(或非)和NAND(与非),这些从传统的组合逻辑中得到的术语指出了阵列的拓扑结构和其中的单独单元读取和写入的方式。
最初,这两种架构间有明显的区别,NOR设备表现出固有的快速读取时间(使其成为代码存储的最佳选择),而NAND设备提供更高的存储密度(这是由于NAND单元大约比NOR单元小40%)。不过,多比特/单元技术的出现使得这一平衡明显地倾向于NOR架构。这是由于在NOR架构中,电荷读出放大器对每个单元直接进行存取,而在NAND架构中,读出放大器的信号必须通过一定数量的其它单元,其中的每一个都能带来一定的小误差。这意味着NAND体系不太可能扩展到超过2比特/单元,而对NOR架构来说,确信可以得到4比特/单元。这一点不仅补偿了NAND单元的较大尺寸,而且使得NOR成为所有当前和将来的快闪存储器应用的适当选择。
 
 
 
 

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多
⊙昨天 10-27 17:05

按照往年,双11购物节本是传统3C冲刺销量的重要窗口期。然而作为渠道PC整机/DIY组装重要配件之一的SSD,自去年四季度起的近半年时间里跟随资源涨价而大幅提价,尽管Q2因受淡季需求拖累价格转跌,但前期累计的涨幅过高,当前价位仍与去年涨价前的价格水平存在明显差距。即便借助双11购物节平台补贴叠加其他优惠,对于消费者而言是高价促销,除非刚需、实难激起多数用户购买欲。同时,今年Q3中下旬,个别渠道存储厂商为缓解业绩压力而率先杀价抢单,但仅为个例未拖累整体市场。不过国庆长假过后,部分小型厂商相继加入杀价行列,国内市场卖压逐渐增强,近期更多存储厂商被动跟进低价以推动出货,同时,资源价格也有所松动,多因素影响下本周渠道SSD价格全面出现较大幅度下调。Q4作为存储厂商完成全年度业绩目标的最后节点,面对疲弱的市场需求以及同业竞争压力,Q4出货也将越发艰难、利润挤压也将逐渐显性化。

SSD(渠道市场):Channel SSD 120GB SATA 跌 11.76% 至 $15.00,Channel SSD 240GB SATA 跌 11.11% 至 $32.00,Channel SSD 480GB SATA 跌 7.69% 至 $60.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 13.16% 至 $33.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 6.67% 至 $70.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 5.17% 至 $110.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 5.00% 至 $76.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 7.69% 至 $120.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 4.00% 至 $240.00。