闪存的技术特性

技术知识 中国闪存市场 Helan 2009-10-22 16:28

          Flash Memory的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。

Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路,这样不仅使电子区能够作用于整个芯片,还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净,以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节,而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。   
从技术面分析,根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据);其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。其对应关系如下:  
过去一般闪存大厂如Intel、AMD、或是台湾的旺宏等,都是以生产NOR Flash闻名,最常见的应用就是行动电话;虽然这种NOR内存的读写速度快,但高成本却是个问题。另一种名为NAND Flash的半导体技术容量较大,这种内存多用在一般需要大容量的记忆卡、USB随身,或MP3随身听中。
 
 
 

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按照往年,双11购物节本是传统3C冲刺销量的重要窗口期。然而作为渠道PC整机/DIY组装重要配件之一的SSD,自去年四季度起的近半年时间里跟随资源涨价而大幅提价,尽管Q2因受淡季需求拖累价格转跌,但前期累计的涨幅过高,当前价位仍与去年涨价前的价格水平存在明显差距。即便借助双11购物节平台补贴叠加其他优惠,对于消费者而言是高价促销,除非刚需、实难激起多数用户购买欲。同时,今年Q3中下旬,个别渠道存储厂商为缓解业绩压力而率先杀价抢单,但仅为个例未拖累整体市场。不过国庆长假过后,部分小型厂商相继加入杀价行列,国内市场卖压逐渐增强,近期更多存储厂商被动跟进低价以推动出货,同时,资源价格也有所松动,多因素影响下本周渠道SSD价格全面出现较大幅度下调。Q4作为存储厂商完成全年度业绩目标的最后节点,面对疲弱的市场需求以及同业竞争压力,Q4出货也将越发艰难、利润挤压也将逐渐显性化。

SSD(渠道市场):Channel SSD 120GB SATA 跌 11.76% 至 $15.00,Channel SSD 240GB SATA 跌 11.11% 至 $32.00,Channel SSD 480GB SATA 跌 7.69% 至 $60.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 13.16% 至 $33.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 6.67% 至 $70.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 5.17% 至 $110.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 5.00% 至 $76.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 7.69% 至 $120.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 4.00% 至 $240.00。