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世界先进:8英寸氮化镓制程研发顺利,最快年底可小量量产

编辑:AVA 发布:2021-05-06 15:02

晶圆代工厂世界先进日前于法说会上表示,氮化镓 (GaN) 制程研发上季取得不错的突破,预期快则今年底、慢则明年上半年就能小量量产。

世界先进在 GaN 材料上投资超过 4 年时间,与设备材料厂 Kyma、及转投资 GaN 硅基板厂 Qromis 携手合作,开发可做到 8 英寸的新基底高功率氮化镓技术 GaN-on-QST。

世界先进指出,目前在 QST 基板上取得独家供应,开发成果中,可看到其可靠性优势,将来在电源应用上,有较高的期待。

世界先进透露, GaN-on-QST 技术在上季取得不错的突破,客户验证也有不错成果,有几个客户着手进行产品设计中,对进度乐观看待,预期最快今年底、慢则明年上半年,就可小量量产。

GaN 属于新材料,效能、可靠度等均需要长时间验证,在 5G 高频功率组件中,扮演重要角色,被看好未来将大量应用于车联网、电动车、5G 基地台供电模块等领域,世界先进也因此积极布局 GaN 材料,着眼 8英寸GaN 制程研发。

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