世界先进：8英寸氮化镓制程研发顺利，最快年底可小量量产

晶圆代工厂世界先进日前于法说会上表示，氮化镓 (GaN) 制程研发上季取得不错的突破，预期快则今年底、慢则明年上半年就能小量量产。

世界先进在 GaN 材料上投资超过 4 年时间，与设备材料厂 Kyma、及转投资 GaN 硅基板厂 Qromis 携手合作，开发可做到 8 英寸的新基底高功率氮化镓技术 GaN-on-QST。

世界先进指出，目前在 QST 基板上取得独家供应，开发成果中，可看到其可靠性优势，将来在电源应用上，有较高的期待。

世界先进透露， GaN-on-QST 技术在上季取得不错的突破，客户验证也有不错成果，有几个客户着手进行产品设计中，对进度乐观看待，预期最快今年底、慢则明年上半年，就可小量量产。

GaN 属于新材料，效能、可靠度等均需要长时间验证，在 5G 高频功率组件中，扮演重要角色，被看好未来将大量应用于车联网、电动车、5G 基地台供电模块等领域，世界先进也因此积极布局 GaN 材料，着眼 8英寸GaN 制程研发。