权威的存储市场资讯平台English

三星、SK海力士祭出EUV,掀新世代DRAM决战

编辑:Helan 发布:2018-10-23 08:56

三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)双双投入极紫外光(EUV)技术的DRAM制程研发,欲在存储器市场取得更大领先。日前三星电子宣布已完成技术研发,即将进入EUV商用化阶段,引起业界关注后续发展。

据韩媒Business Post报导,三星电子日前表示即将在7纳米系统半导体代工生产启用EUV技术,后续也会将EUV技术延伸到DRAM生产。三星是目前唯一成功在系统半导体导入EUV制程的业者,将EUV技术用在DRAM领域将指日可待。

三星电子表示,准备从10纳米中段(1y)DRAM开始采用EUV技术,逐渐扩大到10纳米以下制程,提高超高速、超大容量DRAM产品的技术竞争力。

SK海力士最近发表利川新工厂兴建计画,也松口会提高投资规模,采用最新EUV技术进行生产。韩国业界表示,SK海力士持续进行EUV技术研发,待工厂完工时应可顺利与新技术接轨。

以EUV技术生产DRAM在存储器市场将相当具有竞争力,因为产品不但能提高性能与电力效率,芯片体积也可缩小,使每片晶圆可生产的芯片数量增加,有效节省生产成本。DRAM价格易受市场景气影响波动,对业者而言,降低生产成本至关重要。

目前为止DRAM业者的技术水平差距不大,产品性能也未存在太大差异,使业者之间只能不断进行激烈的价格竞争。但若三星电子与SK海力士采用EUV技术生产DRAM,所提高的产品水平将更易于满足客户需求。

尤其人工智能(AI)服务器与自驾车等新兴科技领域对DRAM的质量要求提高,订单恐会涌向生产技术领先的DRAM业者。相较于美光(Micron)对采用EUV技术态度较为消极,三星电子与SK海力士积极以新技术欲维持领先。

三星电子表示,在半导体生产采用EUV技术之后,将可让5G、AI、物联网(IoT)等领域的技术发展速度加快,后续将会扩大EUV技术应用,提供客户更完善的产品服务。

韩国分析师预测,2019年起半导体业者将调整策略,减少DRAM方面的投资,有助市场景气维持良好。亦即包括三星电子、SK海力士在内的DRAM业者会放慢DRAM投资脚步。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 04-15 04:39,数据存在延时

存储原厂
三星电子83700KRW-0.48%
SK海力士187400KRW-0.53%
美光科技122.52USD-3.91%
英特尔35.69USD-5.16%
西部数据72.06USD-2.49%
南亚科71.8TWD+1.7%
主控供应商
群联电子748TWD+3.74%
慧荣科技75.28USD-3.24%
美满科技70.16USD-1.92%
点序84.6TWD+0.48%
国科微46.58CNY-0.68%
品牌/模组
江波龙87.11CNY+1.24%
希捷科技85.19USD-4.04%
宜鼎国际313.5TWD-0.48%
创见资讯94.5TWD+1.18%
威刚科技113TWD+4.15%
世迈科技19.54USD+0.51%
朗科科技25.47CNY-1.28%
佰维存储44.42CNY+0.73%
德明利121.97CNY+2.69%
大为股份11.75CNY-2.33%
封装厂商
华泰电子67.7TWD-2.17%
力成185.5TWD+1.09%
长电科技25.53CNY+0.55%
日月光160.5TWD+0.94%
通富微电21.34CNY+1.57%
华天科技7.57CNY+0.40%