据韩媒ZDNET报道,SK海力士正以超出预期的时间表,推动其在京畿道龙仁半导体集群建设。近期,公司已向主要合作伙伴订购尖端DRAM制造设备。初步商议的初期投产规模为每月2万片。
试产日程提前,设备合同加速签署
SK海力士已将原定明年5月开放的龙仁集群首座晶圆厂Y1的第一个洁净室(ph1)提前至明年2月,届时将先构建试产生产线,随后在3-4月间完成设备安装,以将产能提升至每月2万片。为尽快将设备引入Y1 ph1,SK海力士已将通常在年底进行的销售单价合同签订提前至第三季度初开始,确保设备能够尽早到位。
目标直指1c DRAM,剑指下一代AI内存
Y1 ph1的生产目标为第六代10纳米级(1c)DRAM。作为当前最先进的商用DRAM制程,1c技术将主要用于制造AI用高附加值DDR和LPDDR(低功耗DRAM)等产品。SK海力士预计将在明年正式商业化的第七代高带宽内存(HBM4E)上采用这一制程。
百亿级集群全面提速,第四座工厂提前12年竣工
据悉,龙仁半导体集群总投资高达600万亿韩元,共规划4座晶圆厂。虽然第四座工厂最初计划在2045年完工,但公司已将这一时间节点大幅提前至2033年。Y1的后续洁净室ph2和ph3也将在今年下半年启动建设,整体工期安排十分紧凑。SK海力士正以全力冲加速将这座全球最大的半导体生产基地之一从蓝图变为现实。

