根据三星官方预估,消费者可通过该容量存储卡拍摄储存最高3小时50分钟的4K视频或者16小时20分钟的全高清视频,同样有望储存10000张图片和30000首MP3歌曲。
韩国三星电子于2015年12月9日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲(论文26.5)。三星此次试制出了20nm工艺的DRAM,该公司表示其特性非常良好,并表示“采用同样的方法,可以达到10nm工艺”。
三星电子(Samsung Electronics)将以直通硅穿孔(TSV)技术为基础,加速研发将存储器和逻辑芯片集成唯一的集成芯片解决方案。三星将把结合CPU、存储器和通讯等的集成芯片,发展为新业务。
三星在日本先行推出了新款廉价固态硬盘750 EVO,不过暂时仅面向OEM渠道,包括商务台式机、笔记本。750 EVO采用传统2.5寸盘规格,6.8毫米厚度,SATA 6Gbps接口,容量提供120GB、250GB两个版本,搭载缓存256MB DDR3,主控
2014年8月底,三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。一年多后,三星将这一容量翻了一番,开始量产128GB TSV DDR4内存条。
三星电子(Samsung Electronics)为牵制睽违30年宣布重新进军存储器市场的半导体巨擘英特尔(Intel),出手投资拥有大量特殊存储器专利的美国技术企业。
据Tom's Hardware报道,周末的时候,该公司日文网站上突然冒出了似乎采用了平面TLC NAND(而非3D V-NAND)的EVO系列SSD新品。根据规格描述中的信息,可知其应该会面向入门级市场,采用的主控为MGX。
三星周四公布了第三季度财报。第三季度,三星实现了过去8个季度以来利润的首次同比增长。三星的芯片业务表现强劲,而智能手机业务也获得了一定增长。
三星周三公布了第三季度的初步财报。韩元汇率的走低提振了三星元件业务的营收,抵消了Galaxy智能手机降价的影响,使得三星该季度利润超出分析师预期。受此财报影响,三星股价大幅上涨。
三星的新款智能手机市场反响不佳,而这也对该公司的股价造成了不利影响。凭借550亿美元的现金储备,三星可能将进行股票回购。分析师预计,三星最早将于本月提出股票回购计划,将价值回馈给股东。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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