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韩国媒体ETnews引述业内消息报导指出，三星预计2016年上半年开始量产14nm NAND Flash，且1月底在旧金山举行的国际固态电路论坛（ISSCC）上就有成品可先行展出。

与16nm相比，14nm浮动闸极（floating gate）面积减少12.5%，这意谓着每片晶圆的闪存芯片产出将增加，而平均生产成本则降低，使得产品更具价格竞争力。除了三星之外，海力士从年初时也下决心着手开发14nm技术，研发工作预估将在明年上半年完成，年末应可顺利进入量产。

闪存是将电子包入浮动闸极，藉以此永存储信息。业界原认为15~16nm是闪存维缩极限的原因在于，浮动闸极面积会随维缩制程缩小，面积太小则将导致电子存储空间不足。不过，三星似乎已想到方法克服这项障碍。