三星计划削减芯片投资的消息一传出马上被推翻,相反的,三星不仅没有放慢脚步的打算,还计划争抢更多芯片生意,且目标正是与英特尔、台积电业务重叠的逻辑芯片。
韩国时报24日引述消息人士报导,三星电子计划削减2016年半导体资本支出(主要集中在DRAM项目)两成、希望藉此拉抬芯片价格。消息人士透露,三星明年并不打算兴建新芯片厂,因为公司的当务之急是获利而非扩产;预估存储器芯片资本支出将从今年的10兆韩元降至8兆韩
韩联社20日报导,根据研究机构FnGuide的统计,全球最大手机制造商三星电子恐因移动部门盈余恶化而缴出逊于预期的第3季财报。以22家受访券商的平均预估值(截至9月17日为止)来计算,三星第3季盈余预估将达6.61兆韩元(56.8亿美元)、较一个月前的推估
韩国本土券商Korea Investment & Securities周一告诉客户,三星第三季营业盈余恐只有6.5兆韩元,不仅不如前季的6.89兆韩元,亦低于市场平均预估的6.6兆韩元。
三星的存储器部门再添新战力,三星周三宣布,旗下最新型12Gb(Gigabit)移动版DRAM将领先同业进入量产,时间预计在今年稍晚。
2007年,DRAM产业宣布DDR3时代来临,到了到了2012年,DRAM才正式进入DDR4,五年的时对于瞬息万变的科技界来说,实在不短。如果算上图纸阶段,更是长达8-9年。
7月初,三星推出了首款容量达到2TB的消费级固态硬盘,包括850 Pro、850 EVO两个系列。这说明,容量已经逐渐不再是固态硬盘的桎梏,彻底取代机械硬盘似乎指日可待。
存储行业巨头之一的三星公司,近日又为我们带来了3款形状大小不一的USB 3.0优盘新品。首先要为大家介绍的是拥有“双头式设计”的Duo,顾名思义,它除了标准的USB 3.0 Type-A公头之外,另一端盖子下还藏着一个便于移动设备使用的micro-USB接
三星同时还展示了一个PM1633a,将四块PM1633整合塞进了一个2.5寸盘的空间内,成就了15.36TB的恐怖容量,接口依然是SAS 12Gbps。
三星已经推出了3款成本控制更优的固态硬盘新品,其秘诀就是采用了3D V-NAND闪存技术。作为SM951的升级版,PM953将提供M.2和2.5英寸两种外形规格——前者可提供480GB或960GB的容量,后者则可选480GB、960GB、以及1.92TB的
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2