据报导,市调机构IHS发表研究报告指出,今(2015)年第3季(7-9月)期间三星电子产出的存储器当中有75%会是10nm等级的NAND存储器、17%则将是3D V-NAND。
三星电子今日宣布,已开始正式量产可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。与容量为128Gb的传统NAND相比,除了在单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)之外,新的芯片还能轻松地翻倍提升三星电子现有SS
三星周四宣布,今年4月至6月这一季度的运营利润同比下降4%,符合此前的业绩展望。这一下降部分是由于Galaxy S6 Edge的供货不足。三星目前仍是全球最大的智能手机厂商。
盈利预期:根据《华尔街日报》的调查,7名分析师平均预计三星当季净利润为5.62万亿韩元(约合48亿美元),较去年同期大约下滑10%。这将是三星连续5个季度出现利润同比下滑。
三星850 Evo SSD可以说是很多人现在装机的首选产品,尽管其采用了TLC闪存,价格也不是最便宜的,但好在当年830系列留下的“信仰”加成还在,而且实际使用中也没有发现什么问题。按照国外定价来看,850 Evo系列120GB版为99.99美元,相对来说
三星于今日宣布了PM863和SM863两个系列的数据中心级SSD,后者拥有1.9TB的最高容量,前者更是最高3.8TB。
三星电子最快于7月启动在韩国京畿道华城的17产线。在初期稼动,17产线预定仅启动整体生产能力(CAPA)的10~30%。虽然不会立即对目前DRAM市场产生巨大影响,但不排除竞争对手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟进加速扩产竞争的可能性
韩联社和彭博社报导,三星电子于7日韩股开盘前公布Q2财报预估,营收年减8.31%至48兆韩元,逊于Yonhap Infomax访调预估的52.1兆韩元。营益年减4.03%至6.9兆韩元(61.3亿美元),不及分析师预估的7.1兆韩元。
新款2TB 850 PRO/EVO SSD仍然保持了7mm的高度和2.5英寸的外形,并且配备了该公司先进的芯片解决方案——其中包括了32层的128Gb 3D V-NAND闪存、升级后的高性能MHX主控(支持2TB容量)、以及基于20nm级制程工艺的4Gb
三星将于本周公布第二季度的初步业绩数据。尽管三星的利润有可能呈现复苏趋势,但新款旗舰机Galaxy S6的销量仍然困扰着该公司的前景。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2