韩国时报(Korea Times)17日报导,RBC Capital Markets分析师Amit Daryanani报告称,去年三星的DRAM投资为21亿美元,预料今年将狠删51%。近年来PC需求不振,DRAM价格暴跌50%,估计三星今年的DRAM开支,
三星加速重整旗下所有子公司,知情人事透露,三星电子总部员工数去年底仅剩9.69万人,较2014年减少2,480人。从2008年金融海啸过后,三星电子员工数还没有减少过的纪录。
在2015年8月的闪存峰会上,三星首次披露了容量为15.63TB的SSD-“PM1633a”,三星今日宣布该系列SSD开始发售。
三星正式推出了750 EVO系列固态硬盘,取代此前的850 EVO系列面向低端市场。840 EVO->850 EVO->750 EVO……三星的产品命名越来越无法捉摸了。750 EVO是标准的2.
南韩媒体Business Korea报导,三星电子延后在西安半导体工厂的第二期投资,可能于今年稍后甚至更晚才会进行,因担心NAND芯片供应增加,导致市场供给过剩的情况更加恶化。
存储器龙头三星电子为了对应市场消沉的状况,预计将大幅缩减2016年的投资。比起大量生产,将以高附加价值产品为中心,只进行保守性的投资,是要确保收益的策略。反之,东芝(Toshiba)等公司计划增加投资,缩减与三星差距。
超级计算机与大数据云端服务的时代来临!三星电子刚刚宣布投产最新4GB HBM2 DRAM、资料处理速度为前一代4Gb GDDR5 DRAM的七倍之多。
三星电子今天发布业绩预告称,该公司2015年第四季度营业利润可能同比增长15%,未能达到市场预期。这一数据也令外界担心该公司可能因为疲软的电子产品销量而在今年再度陷入困境。
三星宣布推出采用3D V-NAND的2TB便携式固态硬盘Portable SSD T3,外形尺寸是2.9英寸x2.3英寸x0.4英寸(74x58x10.5毫米)。为了达到这个令人瞠目的尺寸,三星采用48层V-NAND芯片,提供250GB、500GB、1TB
韩国媒体ETnews引述业内消息报导指出,三星预计2016年上半年开始量产14nm NAND Flash,且1月底在旧金山举行的国际固态电路论坛(ISSCC)上就有成品可先行展出。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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