Samsung
三星电子(Samsung Electronics)为牵制睽违30年宣布重新进军存储器市场的半导体巨擘英特尔(Intel)，出手投资拥有大量特殊存储器专利的美国技术企业。
据Tom's Hardware报道，周末的时候，该公司日文网站上突然冒出了似乎采用了平面TLC NAND（而非3D V-NAND）的EVO系列SSD新品。根据规格描述中的信息，可知其应该会面向入门级市场，采用的主控为MGX。
三星周四公布了第三季度财报。第三季度，三星实现了过去8个季度以来利润的首次同比增长。三星的芯片业务表现强劲，而智能手机业务也获得了一定增长。
三星周三公布了第三季度的初步财报。韩元汇率的走低提振了三星元件业务的营收，抵消了Galaxy智能手机降价的影响，使得三星该季度利润超出分析师预期。受此财报影响，三星股价大幅上涨。
三星的新款智能手机市场反响不佳，而这也对该公司的股价造成了不利影响。凭借550亿美元的现金储备，三星可能将进行股票回购。分析师预计，三星最早将于本月提出股票回购计划，将价值回馈给股东。
三星计划削减芯片投资的消息一传出马上被推翻，相反的，三星不仅没有放慢脚步的打算，还计划争抢更多芯片生意，且目标正是与英特尔、台积电业务重叠的逻辑芯片。
韩国时报24日引述消息人士报导，三星电子计划削减2016年半导体资本支出(主要集中在DRAM项目)两成、希望藉此拉抬芯片价格。消息人士透露，三星明年并不打算兴建新芯片厂，因为公司的当务之急是获利而非扩产；预估存储器芯片资本支出将从今年的10兆韩元降至8兆韩
韩联社20日报导，根据研究机构FnGuide的统计，全球最大手机制造商三星电子恐因移动部门盈余恶化而缴出逊于预期的第3季财报。以22家受访券商的平均预估值(截至9月17日为止)来计算，三星第3季盈余预估将达6.61兆韩元(56.8亿美元)、较一个月前的推估
韩国本土券商Korea Investment & Securities周一告诉客户，三星第三季营业盈余恐只有6.5兆韩元，不仅不如前季的6.89兆韩元，亦低于市场平均预估的6.6兆韩元。
三星的存储器部门再添新战力，三星周三宣布，旗下最新型12Gb（Gigabit）移动版DRAM将领先同业进入量产，时间预计在今年稍晚。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD（散热器版） 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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