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三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。 [更多介绍]

2016-01-26

存储器龙头三星电子为了对应市场消沉的状况，预计将大幅缩减2016年的投资。比起大量生产，将以高附加价值产品为中心，只进行保守性的投资，是要确保收益的策略。反之，东芝(Toshiba)等公司计划增加投资，缩减与三星差距。

2016-01-19

超级计算机与大数据云端服务的时代来临！三星电子刚刚宣布投产最新4GB HBM2 DRAM、资料处理速度为前一代4Gb GDDR5 DRAM的七倍之多。

2016-01-08

三星电子今天发布业绩预告称，该公司2015年第四季度营业利润可能同比增长15%，未能达到市场预期。这一数据也令外界担心该公司可能因为疲软的电子产品销量而在今年再度陷入困境。

2016-01-05

三星宣布推出采用3D V-NAND的2TB便携式固态硬盘Portable SSD T3，外形尺寸是2.9英寸x2.3英寸x0.4英寸（74x58x10.5毫米）。为了达到这个令人瞠目的尺寸，三星采用48层V-NAND芯片，提供250GB、500GB、1TB

2015-12-29

韩国媒体ETnews引述业内消息报导指出，三星预计2016年上半年开始量产14nm NAND Flash，且1月底在旧金山举行的国际固态电路论坛（ISSCC）上就有成品可先行展出。

2015-12-16

根据三星官方预估，消费者可通过该容量存储卡拍摄储存最高3小时50分钟的4K视频或者16小时20分钟的全高清视频，同样有望储存10000张图片和30000首MP3歌曲。

2015-12-14

韩国三星电子于2015年12月9日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲（论文26.5）。三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，该公司表示其特性非常良好，并表示“采用同样的方法，可以达到10nm工艺”。

2015-12-07

三星电子(Samsung Electronics)将以直通硅穿孔(TSV)技术为基础，加速研发将存储器和逻辑芯片集成唯一的集成芯片解决方案。三星将把结合CPU、存储器和通讯等的集成芯片，发展为新业务。

2015-12-01

三星在日本先行推出了新款廉价固态硬盘750 EVO，不过暂时仅面向OEM渠道，包括商务台式机、笔记本。750 EVO采用传统2.5寸盘规格，6.8毫米厚度，SATA 6Gbps接口，容量提供120GB、250GB两个版本，搭载缓存256MB DDR3，主控

2015-11-26

2014年8月底，三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。一年多后，三星将这一容量翻了一番，开始量产128GB TSV DDR4内存条。

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