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新款2TB 850 PRO/EVO SSD仍然保持了7mm的高度和2.5英寸的外形，并且配备了该公司先进的芯片解决方案——其中包括了32层的128Gb 3D V-NAND闪存、升级后的高性能MHX主控（支持2TB容量）、以及基于20nm级制程工艺的4Gb
三星将于本周公布第二季度的初步业绩数据。尽管三星的利润有可能呈现复苏趋势，但新款旗舰机Galaxy S6的销量仍然困扰着该公司的前景。
三星第二季财报预料将有改善，但受Galaxy S6旗舰机销售不佳影响，分析师对三星当季表现仍不是太满意。
韩媒报导，三星固态硬盘(SSD)赢得苹果和微软的笔电大单，由于三星SSD采用自家NAND Flash，因此NAND Flash收益也可获得灌顶。
苹果次世代旗舰机iPhone 6s/6s Plus将在下半年问世。知情人士透露，三星正和苹果商讨，期盼能为新iPhone供应NAND Flash芯片。
2015年SSD市场中的3D V-NAND占比达10%，为当初预期的3倍以上，预料到了2016年，占比将进一步提升至40%，三星电子(Samsung Electronics)将成市场最大赢家。
三星电子刻意压低DRAM价格与对手竞争，让美光股价惨跌。不过，随着DRAM毛利骤缩，三星传出要积极扩张3D NAND产能，此消息也带动其股价强弹。
南韩媒体中央日报日文版 19 日报导，因SSD需求提振3D架构的NAND Flash需求呈现急速增长，故三星电子计划把生产3D NAND的中国西安半导体工厂产量较现行扩增 50%。
之前有报道称，三星投资150亿美金在韩国平泽市新建工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。
全球10nm制程竞赛正式开打！就在三星电子详细说明了14nm制程技术的一个月之后，该公司正式宣布次世代的10nm FinFET制程技术。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD（散热器版） 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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