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三星电子(Samsung Electronics)将以直通硅穿孔(TSV)技术为基础，加速研发将存储器和逻辑芯片集成唯一的集成芯片解决方案。三星将把结合CPU、存储器和通讯等的集成芯片，发展为新业务。

据Digital Times报导，三星将以TSV技术、PoP封装、自主研发系统芯片设计技术等为基础，加强多元集成芯片解决方案，这是三星2013年正式自主研发AP时就着手进行的企划。高性能DRAM、高带宽存储器(HBM)、NAND Flash等存储器产品和AP直接连接，可提升性能和用电效率。

TSV技术是在不到一般纸张厚度一半的DDR4 DRAM芯片上，穿透数百个微细孔洞，填充导电物质，形成贯通芯片的电极，连接上下芯片的技术。利用TSV技术制造的产品，在各个方面的性能都比线装产品表现优越。

三星内部人员表示，TSV技术可谓融合逻辑芯片和存储器，提供新半导体解决方案的滩头堡。要实现半导体单芯片化，一般会使用TSV、PoP、Fan Out等技术。目前三星已实现单芯片解决方案，并确保大部分相关核心技术。

其中TSV和PoP技术较接近完成阶段。三星自2014年起量产的穿戴式设备用ePoP是最具代表性的案例。ePoP结合DRAM、NAND Flash和控制器，并堆叠在AP上。

三星推动的集成芯片，比起移动片大厂高通(Qualcomm)生产的结合AP和调制解调器芯片的集成芯片范围更广。高通的通讯数据技术拥有优势，集成AP、数据芯片、图形处理器(GPU)的Snapdragon系列产品，在移动设备市场上掌握主导权。

惟高通并未尝试与存储器的集成。2015年英特尔(Intel)推出的3D XPoint技术，集成CPU和存储器，但仍局限在服务器和PC等设备。目前在移动设备市场上，还没有企业同时经营AP、存储器、数据芯片事业，且拥有稳定的单芯片解决方案核心技术3D FinFET制程的企业也只有三星。

韩国业界认为，若三星可稳定集成逻辑芯片和存储器芯片的单芯片解决方案，可望在陷入成长停滞的存储器市场上，推动新一波成长。单芯片化、高效能化，将是主导物联网(IoT)市场的必备武器。