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南韩媒体Business Korea报导，三星电子延后在西安半导体工厂的第二期投资，可能于今年稍后甚至更晚才会进行，因担心NAND芯片供应增加，导致市场供给过剩的情况更加恶化。

报导指出，三星电子实际上已搁置西安半导体厂的第二期投资，似乎是担心因东芝、SanDisk和英特尔等对手扩充NAND闪存芯片产能，可能让市场情况演变为七年来最糟。

报导指出，三星电子目前只用到西安厂整个厂址（约110万平方公尺）大概五分之一的面积，但产能已达既有设备的最大极限，业界专家因此推断三星今年内仍会进行第二阶段的投资，开发其余的土地。

三星电子西安厂于2014年开始营运，是三星3D NAND芯片V NAND的核心生产基地。报导引述业界消息来源指出，该厂目前每月已能生产10万片晶圆，远超出一开始预测的6万-7万片。

报导说，东芝和SanDisk大规模扩产NAND，给三星电子西安厂的第二期投资带来压力。东芝将与SanDisk合作，投资5000亿日圆兴建3D NAND的生产基地，预订2017年开始投产。如果三星也开始进行第二阶段的投资，市场势必将爆发严重的供给过剩问题。

半导体业界专家指出，东芝强攻市场对三星电子而言是最大的威胁，因为东芝和三星分食NAND市场，而东芝拥有最稳定的量产结构。另外，虽然三星不太把英特尔和美光的NAND厂看在眼里，但仍担心这两家对手会争抢中国对下一代数据中心的需求。