据etnews报道,三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资,将主要用于是生产DRAM,目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段,并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。
传三星电子(Samsung Electronics)有意在韩国华城厂区内建设极紫外光(EUV)曝光设备专用产线,2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM,尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距,并且获取最大利益。
三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片(SOC)的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。
韩媒etnews 24日报导,业界消息指出,三星电子正与两家大型半导体业者商讨7nm的晶圆代工订单,一家是美国业者、另一家是中国业者。
随着数据存储需求的不断增加,尤其是服务器市场,对数据高速处理、存储、分析,以及快速响应的要求也在不断的增加。英特尔与美光在2015年研发出3D Xpoint技术,速度是普通NAND的千倍。
据国外媒体报道,得益于半导体业务的出色表现,三星电子股价今年已上涨55%,市值也已超过3200亿美元。
据路透社北京时间11月2日报道,三星电子今天任命Roh Hee-chan为新任CFO,掌管公司规模达680亿美元的现金储备。
韩媒etnews 31日报导,据了解三星正在改装韩国华城(Hwasung)厂16号线,此一产线原本生产2D NAND,明年第一季起将量产DRAM。另外,三星的韩国平泽厂也在打造新DRAM产线,第一阶段产能估计明年第三季开出。
三星电子公布截至2017年9月30日的Q3财务业绩,财报显示:Q3营收62.05兆韩元(约合553.7亿美元),同比增长29.8%,营业利润达到创纪录的14.53兆韩元(约合129.7亿美元),同比增长179.4%。
韩媒Pulse 27日报导,三星拟斥资6兆韩元(约合53亿美元)在韩国华城(Hwaseong),打造18号线晶圆代工厂。新厂原订11月动工、2019年下半落成启用。18号线厂将装设极紫外光微影设备(EUV),是7nm以下制程的重要工具。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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