三月份首次公开展示之后,三星电子宣布,已经开始全球第一个量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条,主要面向企业和云服务应用。三星表示,这条内存的标准频率为2666MHz,后续还可以轻松提升,同时功耗比两条32GB的
全球进入后智能机时代,三星寻找新成长引擎,拟定发展重心为晶圆代工、车用OLED面板、数据中心存储,藉此维持科技巨擘地位。
三星宣布推出基于10nm级(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM内存模组,用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。
据TheInvestor网站北京时间5月28日报道,市场研究公司Chaebul.com发布的数据显示,今年第一季度,三星电子、现代汽车以及其他韩国主要上市公司的现金储备都实现了增长。
在本周二于硅谷举办的 SFF 论坛上,三星宣布了该公司的新芯片制造计划,披露了未来几代产品的发展方向。
三星周三发布新闻稿宣布,全球第一个采用极紫外光(EUV)微影设备的7 nm LPP(Low Power Plus)制程,已准备好于2018下半年投产。
韩联社报导,三星的设备解决方案部门主管芯片业务,据传近来设立了晶圆代工研发中心,强化此一方面的实力。设备解决方案部门旗下原本已有八个研发中心,包括存储器、System LSI、半导体、封装、LED、生产技术、软体、面板。
日前,三星前发布了新一代970 PRO、970 EVO系列,并将从5月7日起正式上市,但就在开售之前却出现了神奇的一幕。
三星宣布推出Pro Endurance microS卡,目的是在恶劣环境下进行密集使用,可以在高达85摄氏度(185华氏)的温度下记录或存储数据,128GB的Pro Endurance microSD卡售价为90美元,64GB的价格为45美元,32GB的价
三星PM1725a系列企业级SSD采用三星48层TLC V-NAND,有2.5 inch和HHHL两种规格形态,其中2.5 inch走PCIe Gen3 x 4通道,800GB, 1.6TB, 3.2TB, 6.4TB四种容量选择;HHHL形态走PCIe
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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