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Samsung
三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。 [更多介绍]

三星股价信息韩国交易所

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  • 2025/10/13 更新时间

三星全部新闻

三星电子对外宣布使用配置Exynos调制解调器5100的终端已成功通过了OTA(OvertheAir)收发测试,并掌握了适用于5G移动通信商用化调制解调器的核心技术。

8月8日,韩国三星抛出了未来三年将新增投资180万亿韩元(约合1600亿美元)的新方案,并将录用4万名新员工。这是韩国单一企业集团史上最大规模的投资计划。

三星今天宣布开始大规模生产基于QLC(4-bit)SATA SSD,该新SATA SSD基于64层1Tb QLC V-NAND,搭载了32颗芯片,最高容量高达4TB,具有TLC SATA SSD一样的性能水平,提供540MB/s的读取速度和520MB/s的

针对三星固态硬盘产品在用户群体与技术阵营方面的问题,三星电子大中华区品牌存储事业部产品经理刘承鑫先生为我们做出了详细的解答。

三星发布截至2018年6月30日的第二季度财务业绩:Q2营收58.48兆韩元(约合523亿美元),较上年同期下降4%,环比下滑3%;营业利润14.87兆韩元(约合133亿美元),同比增长6%,环比下滑5%;净利润11.04兆韩元(约合99亿美元),同比基本

三星宣布量产第二代10nm级16Gb LPDDR4X移动DRAM,适用于旗舰智能手机及其他移动应用,可在提高效率的同时降低功耗。

三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来,三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,5G和AI将是其主要应用领域。

韩国业界最近指出,三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元,预计将以韩国平泽、中国西安为主,扩大高容量3D NAND生产规模,期望拉大与其它竞争对手间的领先差距。

据外媒7月9日报道,三星公司宣布与ARM建立长期合作关系,双方将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片使得ARM Cortex-A76处理器可以实现3GHz+的高频率。

继东芝和西部数据大力宣传其96层3D NAND,英特尔和美光量产64层QLC,以及给客户送样96层3D NAND。三星今天也终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片,声称其堆叠层数超过90层,可能是96层,制造生产率可提高30%以上。

企业信息
公司总部
公司名称:
三星
地点:

韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号

成立时间:
1969年
所在地区:
韩国
联系电话:
+82-31-209-7114

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