据传三星电子(Samsung Electronics)印度分公司正在进行管理高层改组,手机与消费电子业务均将换上新主管,部分印度籍干部也将有人事异动。据传可能与三星在印度智能型手机(Smartphone)市场面临的挑战有关。
韩国三星电子副会长李在镕因涉嫌行贿等,一审被判监5年。据韩联社报道,李在镕二审将于27日结束。首尔高等法院将于今日上午10时召开李在镕和三星前任4名干部的审判。自9月28日二审开始以来,已过去四个月。
据《日经亚洲评论》北京时间12月26日报道,三星电子有望在今年成为全球最大半导体销售商。飙升的存储芯片需求正推动三星超越英特尔公司,后者已经把持年芯片收入第一的位置长达25年时间。
据彭博社北京时间12月21日报道,亚洲科技股在今年的增长似乎开始放缓。随着两家公司的分析师下调了三星电子的第四季度营业利润预期,市场越来越怀疑科技股的增长正在失去动力。
据韩国先驱报报道,三星移动部门CTO(首席技术官)Rhee In-jong宣布从公司辞职,已经生效,理由是自己需要发挥父爱,繁忙的工作导致他没时间关心女儿。Rhee在周二给员工的一份邮件中透露,女儿作为美军武装部队的办事员近日被部署到伊拉克,他感到自己必须
12月20日,三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的生产,有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求,继续加强三星市场竞争力。
传三星新任设备解决方案部门总裁金奇南(Kim Ki-nam)已选定系统单芯片与晶圆代工作为发展主轴。
传闻三星电子(Samsung Electronics)即将在2018年初发布的Galaxy S9+智能型手机将采用双镜头相机模块与其它更高规格硬件,因此Galaxy S9+恐将成为Galaxy S系列中售价最高的机种。
据《韩国先驱报》报道,欧盟委员会周一公布的数据显示,在2016年至2017年期间,三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。
12月5日,三星宣布开始量产采用三星最新64层512Gb V-NAND芯片的首款512GB eUFS( embedded Universal Flash Storage )产品,满足移动设备需求,该产品由八颗64层512Gb V-NAND芯片和控制芯片封装
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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