据国外媒体报道,由于全球存储芯片市场空前的反弹,超过了逐渐放缓的智能手机和相关元件销售,三星电子预计,周五公布的一季度利润将会增长近50%。三星电子主营业务半导体的收入将占其总营业利润近四分之三。
据The Investor北京时间4月3日报道,由于因卷入崔顺实干政丑闻大部分时间都被收押,去年三星电子副董事长李在镕(Lee Jae-yong)的薪酬要低得多,但也竟高达8.71亿韩元(约合人民币514万元)。
据韩联社报道,业内消息人士周五透露,三星电子副会长、法定继承人李在镕(Lee Jae-yong)预计最早于下个月(4月)回归三星,恢复职务。
去年韩媒指称,三星电子不满台积电靠着扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Packaging;FOWLP)的先进技术,抢走苹果处理器的全数订单,决定砸钱投资,全力追赶。新消息指出,三星将在韩国设立封装厂,也采用扇出型封装技术。
3月28日,三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目开工奠基仪式在西安举行。工信部部长苗圩,陕西省委书记胡和平,省长刘国中,省委常委、常务副省长梁桂,省委常委、西安市委书记王永康,省委常委、省委秘书长钱引安,副省长陆治原,西安市市长上官吉庆,韩国驻华大使
OCP Summit开放计算峰会上,三星展示了全新的NF1样式SSD,也就是Intel称之为Ruler(统治者)的那个,最初叫NGSFF,也有时候叫M.3。NF1 SSD有点像M.2的放大版,电路板尺寸30.5×110毫米(M.2宽度为2
据韩联社北京时间3月23日报道,三星电子今天在首尔举行年度股东大会。在此次大会上,400名三星股东和主要高管将就公司目前面临的问题展开讨论。
三星发布了一款全新的企业级PM883系列SSD固态硬盘,采用的SATA 6Gbps接口,采用的是最新的64层3D TLC NAND技术和专有的新控制芯片,搭载LPDDR4 DRAM缓存,容量提供3.75TB和7.5TB容量,写入寿命分别为5466TB、10
2月23日消息,三星在官网宣布,投资60亿美元在韩国华城(Hwaseong)兴建新的半导体工厂,用于扩充7nm EUV的产能。该工厂已经破土动工,2019年下半年竣工,2020年之前投产。
三星电子位于南韩华城市(Hwaseong)的晶圆新厂本周五(2月23日)将正式动土,预定明年下半年开始量产7nm以下制程的芯片,未来可望在智能设备、 机器人的客制化芯片取得不错进展。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2