本周在火奴鲁鲁举行的VLSI(超大规模集成电路)研讨会上,三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久,终于在2018年看到曙光,三星称风险试产年底启动。
三星宣布推出业界最高容量NVMe SSD: 采用NGSF(NF1)规格形态,容量可达8TB,主要用于下一代数据中心和企业服务器系统中的数据密集型分析和虚拟化应用。
6月16日,据彭博社报道称,德克萨斯州联邦陪审团日前作出一项裁决,三星电子因侵犯韩国技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology)一项专利技术,为此需向后者支付高达4亿美元的赔偿。
传三星电子(Samsung Electronics)启动采用极紫外光(EUV)微影设备的DRAM生产研发,虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM,不过也有可能先推出17纳米制程产品。
据悉,SFF自2016年首次举办以来,每年都会邀请客户和合作商,并在中国、韩国、美国、日本、德国等国举办,今年也是第一次在中国召开。中国客户和“晶圆代工生态系统(Foundry Ecosystem)”合作企业约300多人参加本届论坛。
三月份首次公开展示之后,三星电子宣布,已经开始全球第一个量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条,主要面向企业和云服务应用。三星表示,这条内存的标准频率为2666MHz,后续还可以轻松提升,同时功耗比两条32GB的
全球进入后智能机时代,三星寻找新成长引擎,拟定发展重心为晶圆代工、车用OLED面板、数据中心存储,藉此维持科技巨擘地位。
三星宣布推出基于10nm级(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM内存模组,用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4 DRAM芯片组成。
据TheInvestor网站北京时间5月28日报道,市场研究公司Chaebul.com发布的数据显示,今年第一季度,三星电子、现代汽车以及其他韩国主要上市公司的现金储备都实现了增长。
在本周二于硅谷举办的 SFF 论坛上,三星宣布了该公司的新芯片制造计划,披露了未来几代产品的发展方向。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
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三星HBM3 2023-10-17
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三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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