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三星宣布量产第二代10nm级16Gb LPDDR4X移动DRAM，适用于旗舰智能手机及其他移动应用，可在提高效率的同时降低功耗。
三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
韩国业界最近指出，三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3D NAND生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的领先差距。
据外媒7月9日报道，三星公司宣布与ARM建立长期合作关系，双方将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片使得ARM Cortex-A76处理器可以实现3GHz+的高频率。
继东芝和西部数据大力宣传其96层3D NAND，英特尔和美光量产64层QLC，以及给客户送样96层3D NAND。三星今天也终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能是96层，制造生产率可提高30%以上。
7月6日，三星预估2018年Q2季度营收在57兆韩元-59兆韩元，平均值58兆韩元相较于上一季度环比下滑4.3%，相较于2017年同比下滑5%。营业利润在14.7兆韩元-14.9兆韩元，平均值14.8兆韩元相较于上一季度环比下滑5.4%，相较于2017年同
在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架构时，样片就是由台积电的7nm打造，当时频率最高达到了3.3GHz，参考值也达到了3GHz。
据彭博社北京时间7月5日报道，随着立法者和监管机构试图限制财阀家族对其商业帝国的控制，超过16万亿韩元（约合140亿美元）的三星电子股票或即将涌入韩国股市。
HBM高带宽显存一度被视为“GDDR杀手”，不过从目前看，由于成本等因素制约，HBM短期内不可能淘汰GDDR，会更多地用在高端和专业领域，更何况GDDR6也来了，生命力依然顽强。
据TheInvestor北京时间6月23日报道，三星电子公司高层于周五召开了全球战略会议，但副会长李在镕并未出席。该会议将评估公司的全球运营状况，并讨论未来的商业策略。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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