据ETnews报道,三星电子将通过新的TSV技术增加3D-stacked DRAM产量,有望供货给进军AI(人工智能)市场的英特尔和Nvidia。
在NAND Flash技术由2D向3D转换的关键时期,以及为了应对不断增加的市场需求,各家Flash原厂投资动作不断。近日,传三星电子(Samsung Electronics)正考虑在2019年之前斥资10兆韩元(约89.1亿美元),将其大陆西安NAND
三星电子开足马力发展晶圆代工事业,周三(5月24日)誓言要领先群雄,跟台积电一较长短的企图心相当浓厚。
新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测,三星今年半导体资本支出将扩增至24.5兆韩元(约合218亿美元),较去年成长85.6%,且将超越2015年的14.7兆韩元成为三星史上新高。
据ETNEWS报道,三星电子平泽Fab 18新工厂建设完工,将在下个月开始运作,用于生产最先进的64层3D NAND,未来将成为三星最大半导体产线,也是三星稳固市场地位的重要生产基地。
三星周五进行组织结构重整,晶圆代工确定分拆成独立单位,其半导体事业也将从原先存储器与系统LSI双组织结构分拆成三支。
据《韩国先驱报》报道,消息称,三星集团预计最快在本月实施高管重组。三星通常在每年的12月实施重组,任命高管和CEO。然而,在三星卷入了韩国腐败丑闻后,该公司推迟了去年的高管调整。这场腐败丑闻导致韩国总统朴槿惠被弹劾,三星实际掌门人李在镕(Lee Jae-y
由于担心公众不满,三星叫停了旨在为李在镕担任集团首席执行官铺平道路的重组计划。但三星并未放弃其接班人计划,不过采取了更隐秘的方式,废止了大量库存股,帮助巩固李在镕的势力。李在镕因涉嫌行贿2月中旬被拘押。目前,他通过手机有效地管理公司,在探监期间对公司高管“
据ETNEWS报道,三星投资26.4亿美元(3兆韩元)用于华城Fab17工厂生产10nm级的DRAM,预计将在下半年大规模投入生产。三星Fab17工厂是一条混合产线,除生产DRAM,还生产3D NAND和系统半导体芯片。
fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导,三星24日发布MRAM,此种次世代存储器兼具NAND Flash和DRAM的优点,无须电源也能储存资料,而且处理速度极快。三星宣称,MRAM是非挥发性存储器,采用自旋传输科技(Spin-torque tr
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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