据《韩国先驱报》报道,欧盟委员会周一公布的数据显示,在2016年至2017年期间,三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。
12月5日,三星宣布开始量产采用三星最新64层512Gb V-NAND芯片的首款512GB eUFS( embedded Universal Flash Storage )产品,满足移动设备需求,该产品由八颗64层512Gb V-NAND芯片和控制芯片封装
据etnews报道,三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资,将主要用于是生产DRAM,目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段,并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。
传三星电子(Samsung Electronics)有意在韩国华城厂区内建设极紫外光(EUV)曝光设备专用产线,2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM,尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距,并且获取最大利益。
三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片(SOC)的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。
韩媒etnews 24日报导,业界消息指出,三星电子正与两家大型半导体业者商讨7nm的晶圆代工订单,一家是美国业者、另一家是中国业者。
随着数据存储需求的不断增加,尤其是服务器市场,对数据高速处理、存储、分析,以及快速响应的要求也在不断的增加。英特尔与美光在2015年研发出3D Xpoint技术,速度是普通NAND的千倍。
据国外媒体报道,得益于半导体业务的出色表现,三星电子股价今年已上涨55%,市值也已超过3200亿美元。
据路透社北京时间11月2日报道,三星电子今天任命Roh Hee-chan为新任CFO,掌管公司规模达680亿美元的现金储备。
韩媒etnews 31日报导,据了解三星正在改装韩国华城(Hwasung)厂16号线,此一产线原本生产2D NAND,明年第一季起将量产DRAM。另外,三星的韩国平泽厂也在打造新DRAM产线,第一阶段产能估计明年第三季开出。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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