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热点：CFM分析：四季度存储市场价格将迎来全面上涨！

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三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。 [更多介绍]

三星股价信息韩国交易所

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三星全部新闻

三星宣布量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM

2017-12-20

12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。

传三星明年强攻系统单芯片与晶圆代工

2017-12-18

传三星新任设备解决方案部门总裁金奇南（Kim Ki-nam）已选定系统单芯片与晶圆代工作为发展主轴。

双镜头、DRAM成本拉高，三星Galaxy S9单价或创新高

2017-12-18

传闻三星电子(Samsung Electronics)即将在2018年初发布的Galaxy S9+智能型手机将采用双镜头相机模块与其它更高规格硬件，因此Galaxy S9+恐将成为Galaxy S系列中售价最高的机种。

三星去年研发投入143亿美元 全球排名第4

2017-12-11

据《韩国先驱报》报道，欧盟委员会周一公布的数据显示，在2016年至2017年期间，三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。

三星量产采用64层512Gb V-NAND的512GB eUFS

2017-12-05

12月5日，三星宣布开始量产采用三星最新64层512Gb V-NAND芯片的首款512GB eUFS（ embedded Universal Flash Storage ）产品，满足移动设备需求，该产品由八颗64层512Gb V-NAND芯片和控制芯片封装

三星启动平泽厂第二阶段投资，将主要用于生产DRAM

2017-12-04

据etnews报道，三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资，将主要用于是生产DRAM，目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段，并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。

传三星考虑在华城厂打造10nm级DRAM产线 2019年初投产

2017-11-29

传三星电子(Samsung Electronics)有意在韩国华城厂区内建设极紫外光(EUV)曝光设备专用产线，2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM，尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距，并且获取最大利益。

三星第二代10nm FinFET工艺进入量产

2017-11-29

三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片（SOC）的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。

传三星晶圆代工新客户快到手 新厂下月动工

2017-11-24

韩媒etnews 24日报导，业界消息指出，三星电子正与两家大型半导体业者商讨7nm的晶圆代工订单，一家是美国业者、另一家是中国业者。

三星SZ985系列Z-SSD：800GB容量，速度3.2GB/s

2017-11-20

随着数据存储需求的不断增加，尤其是服务器市场，对数据高速处理、存储、分析，以及快速响应的要求也在不断的增加。英特尔与美光在2015年研发出3D Xpoint技术，速度是普通NAND的千倍。

企业信息
公司总部
公司名称：
三星
地点：

韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号

成立时间：
1969年
所在地区：
韩国
联系电话：
+82-31-209-7114
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