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业者争相增产，存储器又成惨业，情况到底有多严重？外资报告称，三星勒紧裤带，准备把存储器的投资金额对半腰斩，撙节情况一如2011年存储器低潮。

韩国时报(Korea Times)17日报导，RBC Capital Markets分析师Amit Daryanani报告称，去年三星的DRAM投资为21亿美元，预料今年将狠删51%。近年来PC需求不振，DRAM价格暴跌50%，估计三星今年的DRAM开支，会降至2011、2013年DRAM低潮时期的水平。过去两年，三星砸下重金，协助DRAM转进20nm制程，约有60~70%的DRAM产能改用20nm制程。

Daryanani预测，三星也会重砍NAND Flash存储器支出。等到3D NAND扩产工程完成后，三星的NAND支出会从61亿美元、降至28亿美元。三星从2015年年中开始在中国西安扩建产线，估计2015年底西安厂的3D NAND产能为9万~10万组，其中3万组为48层、6~7万组为32层。

报告表示，三星应会继续投资，不过10nm产能应要到2017年才会大幅开出。RBC认为，业者转进3D NAND会拉低均价，部分厂商恐陷困境，未来价格可能会暴跌。估计今年三星半导体部门(包括逻辑芯片和存储器)投资总额为90亿美元，低于去年的130.8亿美元 。

日经新闻11日报导，尔必达末代社长坂本幸雄将携手台湾、大陆之力，在安徽省合肥打造大规模存储器厂，力抗三星等厂商。坂本幸雄设立的半导体设计公司「Sino King Technology」 已和合肥市政府签约，预定2018年下半量产，以12吋晶圆换算的月产能达10万片，将成为中国最大规模的DRAM厂。

DRAM低潮还没完，野村(Nomura)认为存储器陷入完美风暴，业者拼命增产抢夺市占，DRAM均价可能会续跌30%，美光(Micron)将受重创。(完美风暴意指一连串事情发生，导致灾难性后果)

巴伦(Barronˋs)网站7日报导，野村的Romit Shah报告称，他们与台韩的三星电子、SK海力士(SK Hynix)、美光等供应商会面，发现存储器落入完美风暴，终端市场需求疲软，包括PC、移动设备、服务器。但是美光、SK海力士、三星无意降低产能，持续增产。野村估计今年DRAM均价至少将重挫30%，跌幅大幅于市场预估的14~19%。要是DRAM均价暴跌30%，营业利润率将减至1~3%，低于外界估计的7%；每股盈余也会降至0.25美元，低于市场估计的0.46美元。

先前报导，三星加速重整旗下子公司，据传去年裁员2480人，研发支出也跟着缩水，这同样是2008年后首见。报导指出，去年底三星研发中心数量裁减至41间，较2014年减少3间。