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三星电子(Samsung Electronics)30日宣布，开发出业界首见的8Gb、低功耗双倍资料传输率(LPDDR4)的移动存储器(Mobile DRAM)。

据报导，存储器销售暨营销执行副总Young-Hyun Jun表示，次世代的LPDDR4 DRAM将促成全球移动存储器市场快速成长，未来在整体DRAM市场中将有最大市占率。

三星的高速8Gb LPDDR4将以20奈米制程生产，每个晶粒(die)有1GB容量，为现今DRAM产品中的最大集成度。新产品采用低电压摆幅中断逻辑(low-voltage swing terminated logic)I/O界面，此技术由三星首先向固态技术协会(JEDEC)提出，已成LPDDR4 DRAM的标准规格。依据此一界面，LPDDR4芯片资料传输速率可达3,200Mbps，为20奈米制程LPDDR3 DRAM的两倍；效能也较最快的LPDDR3或DDR3存储器高出50%；功耗为1.1伏特，用电量约少40%。