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三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。
三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务，并与广泛的生态系统合作伙伴一起，满足客户的不同需求。
三星将在今年第四季度量产下一代LPDDR5车规芯片，传输速率可达每秒9.6Gbps。
此外，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
三星电子推出其首款1TB高容量 microSD 卡： PRO Plus和EVO Select。采用第八代三星 V-NAND (V8) ，可存储超过400,000 张 4K UHD（2.3MB）图像或超过 45 款主机游戏（20GB）。
据三星透露，雨季第三季度HBM3E销售额在HBM销售额占比将超过10%，并有望在第四季度扩大至60%。
三星电子计划将其高带宽存储器（HBM）的组装检测工艺外包给子公司STeco，以应对产能需求和改善生产效率。STeco将投资335亿韩元用于新业务的基础设施投资，预计2025年内完成投资。此举可能标志着三星电子HBM产品后道工序的外包化。
三星电子计划将平泽四厂（P4）转换为DRAM专用生产线，以应对通用DRAM的潜在供应短缺问题。
据韩媒报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。
三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度（如语音文本生成），而无需服务器或云访问。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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