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全球存储器霸主三星电子拉大与对手差距，据传已经抢先业界开始生产18nm DRAM，美光远远落后，技术差距扩大到两年以上。三星技术领先将可维持获利，不用担心DRAM价格滑落侵蚀利润。

韩媒etnews、韩国时报报导，业界人士透露，三星韩国华城工厂生产的18nm DRAM，已经开始出货，将供货给苹果。消息人士说，两年前三星率先量产20nm DRAM，如今三星再次领先业界，第一个商用化18nm DRAM。据了解，18nm DRAM初期产量不大，三星已经增订设备，预计夏天过后产量将会增加。早期供货主要用于PC，之后将生产服务器和移动设备用的DRAM。

报导称，三星量产18nm DRAM，生产成本的竞争优势拉大，就算DRAM价格继续下滑，其他业者陷入亏损，三星仍能维持获利。据称存储器二哥SK海力士已经量产20nm，但是18nm DRAM仍在研发阶段，要到明年初才能商用化。存储器老三美光(Micron)更惨，转进20nm踢到铁板，至今未能量产20nm DRAM。

Daishin Securities研究员Kim Kyung-min说，由结果看来，韩厂和美光科技落差极大。美光DRAM技术落后三星两年以上，恐需忧虑是否会立刻出现亏损。

不过由日本方面消息看来，美光情况似乎没那么糟。日经新闻去年10月12日报导，美光计划1年内对日本广岛工厂豪砸1000亿日圆，导入最新生产设备，量产全球最先端、采用16nm制程技术的DRAM产品，目标2016年上半年确立16nm DRAM的量产技术。

日经指出，和现行20nm制程相比，采用16nm制程后，每片晶圆的存储器数量将增加，预估产能可提高2-3成，上述广岛工厂确立16nm DRAM量产技术之后，美光也会对日本、美国、台湾等地工厂的其中一座进行追加增产投资。