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据报导，三星半导体部门资深副总裁Jeeho Baek周四表示，今年在存储器类半导体投资规模将比照去年，估计最高将达100亿美元之谱。Baek指出，DRAM与NAND存储器产出比重规划为7比3，但会视市场需求作弹性调整。

由于看好未来需求，三星对存储器项目的投资一点都不手软，其位在南韩华城，也是三星目前存储器芯片的主要生产基地，年底还有一座新厂将准备投产。

另外，三星日前也宣布加码在南韩平泽（Pyeongtaek）盖新厂区，总投资规模来到25.6兆韩元。新工厂预计下个月动工，主要也是生产DRAM存储器，但视市况，也可生产处理器芯片。

报导还指出，三星也打算增产3D V-NAND存储器，搭载3D V-NAND的固态硬盘预计下半年就会商业化。据IHS调查，三星去年SSD营收40亿美元，是第二名英特尔的两倍多。