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三星电子宣布推出基于 ZNS(Zoned Namespace,分区命名空间)技术的新企业级SSD— PM1731a，该新ZNS SSD计划在下半年开始量产，大容量的SSD将满足数据中心、云计算/云数据等环境下不断增长的存储需求。
S2FPD01和S2FPD02为必须实时运行繁重的分析，机器和深度学习以及其他各种计算任务的数据中心和企业服务器提供了最佳性能：而FPD01专为低密度模块而设计；FPD02可实现更高的密度；S2FPC01专为台式机或笔记本电脑使用。
三星电子宣布三款电源管理芯片，分别为：S2FPD01，S2FPD02，S2FPC01，能够最大限度提高DDR5模块性能，并最大程度降低功耗。
三星宣布已经在平泽新建新的产线，将于2022年下半年完工，将采用EUV设备，批量生产14nm DRAM和5nm逻辑芯片产品。
三星电子宣布业内首款支持Compute Express Link（CXL）互连标准的存储模块，该模块与三星的DDR5技术集成，使得服务器系统能够显著扩展内存容量和带宽，加速数据中心的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载。
三星电子宣布，其下一代2.5D封装技术Interposer-Cube4（I-Cube4）即将上市，包含4个HBM和一个逻辑芯片，三星还将尽快研发出搭载6个、8个HBM的新技术，推向市场。
三星发布支持SAS-4标准的企业SSD--「 PM1653」，是业界首款支援24Gb SAS界面或SAS-4 规格的企业级SSD，搭载第六代的V-NAND，传输速度是上一代产品12Gb SAS 或SAS-3 的两倍。
三星2021年Q1财报表现增长，首先受惠于DRAM和NAND Flash市况，不仅中国手机客户需求和配备容量需求增长，而且数据中心需求在预期经济复苏的带动下，正在逐渐恢复动能。
三星DRAM计划小组副总裁Young-Soo Sohn表示，正在与英特尔等工程团队密切合作，凭借快速、节能的DDR5产品，不断优化服务器存储架构，提高性能。
二期二阶段项目建设工作正在稳步推进，预计2021年年中建成投产，二期满负荷投产后，闪存芯片产能将占到三星电子全球同类产品产量的40%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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