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三星2021年Q1财报表现增长，首先受惠于DRAM和NAND Flash市况，不仅中国手机客户需求和配备容量需求增长，而且数据中心需求在预期经济复苏的带动下，正在逐渐恢复动能。
三星DRAM计划小组副总裁Young-Soo Sohn表示，正在与英特尔等工程团队密切合作，凭借快速、节能的DDR5产品，不断优化服务器存储架构，提高性能。
二期二阶段项目建设工作正在稳步推进，预计2021年年中建成投产，二期满负荷投产后，闪存芯片产能将占到三星电子全球同类产品产量的40%。
与此前推出的970 EVO相比，SSD还具有高达56％的提高的电源效率，使笔记本电脑用户可以更好地管理电源使用情况。
全球芯片供应持续紧缺，也包括存储芯片在内的资源也供不应求，因此三星正在考虑加紧对DRAM产量的提升。
PM9A3采用三星第六代（1xx层）V-NAND构建，与基于第五代基于V-NAND的PM983a（M.2）相比，连续写入速度提高了两倍，达到3000MB/s， 随机读取速度提高40％至750K IOPS，随机写入速度提高150％至160K IOPS。
三星关于HBM-PIM的论文已被选中在国际固态电路虚拟会议（ISSCC）上进行演示。验证工作有望在今年上半年完成。
在昨日的财报会议上，三星对2021年一季度的市场作出展望。
三星宣布推出新款消费类SATA SSD: 870 EVO SSD，不仅能满足普通PC用户需求，对专业IT工作人员需求也能给与支持。
三星电子宣布2020年四季度盈利预期，预计合并销售额为61万亿韩元，同比增长1.9%，环比下降8.9%；合并营业利润为9万亿韩元，同比增长25.7%，环比下降27.1%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
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三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
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Samsung UFS 4.0 2022-05-25
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三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星PRO microSD卡 2018-04-25
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