三星 http://www.samsung.com/

三星电子宣布，已完成2026年常规高管人事调整，包括晋升161名高管，涵盖EVP、VP、研究员和专家等职位。与去年的137人晋升相比，此次晋升人数显著增加。

其中，半导体（DS）事业部存储事业部主要晋升人员如下：

▲ Silwan Chang，EVP，DS事业部存储事业部解决方案平台开发团队负责人

作为一名软件开发专家，他凭借在服务器 SSD 固件和架构开发方面的经验，领导下一代解决方案平台的开发，并确保核心软件和硬件技术的安全。

▲ Hoin Yoo，DS事业部存储事业部DRAM PA2集团VP

作为 DRAM 工艺集成专家，他领导 D1c 级 DRAM 母产品和 HBM4 的开发，确保良率/量产并控制高质量缺陷，从而确保 DRAM 产品的完美性。

▲ Jaeduk Lee，DS事业部半导体研究所首席技术官，闪存技术开发团队，研究员

作为闪存设备专家，引领高性能 V-NAND 产品新设备的开发，确保产品特性和单元可靠性，从而增强下一代 V-NAND 产品的竞争力。

▲ Heeil Hong，EVP，DS事业部存储事业部DRAM PE团队负责人

作为DRAM评估/分析专家，通过DRAM运行优化和重大缺陷筛选，确保了HBM3E/4、高容量DDR5和低功耗LPDDR5x等主要DRAM产品的完美性。

▲ Yoon Noh，EVP，DS事业部存储事业部闪存PA1组组长

作为 NAND 工艺集成专家，他领导引入了新的工艺方案，以提高单元可靠性并确保大规模生产，为下一代 V-NAND 产品的发展做出了贡献。

▲ Byung-hyun Lee，EVP，DS事业部存储事业部DRAM PA2组组长

作为 DRAM 工艺集成专家，他领导了 D1c 级 DRAM 母产品和 HBM4 的开发，通过控制重大高质量缺陷和提高器件性能，增强了 DRAM 产品的竞争力。

▲ Jacob Zhu，EVP，DS事业部DSC华南区销售团队负责人

作为一名中国销售专家，他利用自己在存储器和S.LSI销售方面的经验，引领中国市场的发展，并为扩大中国公司的客户群和实现销售最大化做出贡献。

▲ Yong-deok Jeong，EVP，DS事业部全球制造与基础设施部MI技术团队负责人

作为半导体测量和缺陷检测专家，最大限度地发挥所有 DRAM、闪存和逻辑产品的协同效应，克服测量技术的局限性，增强大规模生产的竞争力。

此外，

Brian Joung (Head of Memory Marketing) 升任EVP；

Dongjun （Andy）Choi (MI, Head of Part) 升任VP；

Muhyun Seo (DSJ Marketing) 升任VP。

三星电子DS事业部人事调整名单：