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美国最大内存芯片制造商美光科技（Micron Technology US-MU）公布年度第4季亏损扩大，主要因个人计算机需求衰退导致芯片供给过剩，NAND型闪存(NAND Flash)、NOR型闪存(NOR Flash)毛利上扬遭DRAM毛利下滑抵消。

美光在截至11月29日止的会计年度第4季净损2.75亿美元，或每股净损27美分，相较于去年同期净损1.87亿美元，或每股净损19美分。营收衰退12%，至18.3亿美元。逊于彭博访调分析师预估的每股净损20美分，营收20亿美元。

根据RBC资本市场（RBC Capital Markets）分析师傅利曼（Doug Freedman）预估，由于个人计算机、服务器和网络设备制造商累积的芯片超乎需求，纷纷削减新订单，计算机内存芯片价格平均下跌18%。根据IHS ISuppli，2012年个人计算机出货料出现衰退，为10几年来首次年度萎缩。Durcan指出，本季以来DRAM价格虽持续上扬，但仍不宜过早认定趋势已经反转。他说，美光对短期展望仍持保守态度。

美光第4季NAND Flash相关营收季减4%，主要是受到销售量减少9%抵销均价上升5%的影响。美光表示，Q1 NAND Flash销售量下滑，是因为产量缩减的关系。DRAM相关营收季减9%，主要是受到均价下跌11%的影响。NOR Flash销售额则与前季相去不远。

制程方面，美光执行长Mark Durcan 20日在电话会议上表示，制程面临挑战，导致DRAM、NAND Flash的Q1销售量皆不如分析师预期。他不愿提供细节，仅表示该公司在从硅晶圆制造芯片的过程中出了一些差错，而内外部同时面临的问题导致整体产出下滑。

Durcan指出，上述问题已经顺利解决，不会在本季造成负面影响。此外，由于制程方面的问题，美光已放缓扩充20奈米产能的步伐，预期要到2013年底采取20奈米制程技术的芯片才会占据大多数的产量。