Micron
Mark Murphy表示，目前还没有哪家公司完成人工智能半导体系统级的HBM4质量认证。美光HBM4带宽超过2.8 TB/s，引脚速度超过11 Gbps，正在按照既定程序接受评估。
美光汽车UFS 4.1采用G9 NAND闪存技术，带宽高达4.2 GB/s，是其上一代产品的两倍，可加速人工智能模型的数据访问，并通过支持语音助手、个性化信息娱乐和高级安全警报等功能，提升车内体验。
基于与 NVIDIA 五年的合作，美光率先在数据中心使用低功耗服务器内存。
美光获得上述补助需达成的条件包括：开始量产后、须持续生产10年以上；因各种因素导致供需紧绷时、将因应日本政府要求进行增产。
美光称，业绩预测上调主要得益于数据中心、PC和移动市场DDR5和LPDDR5价格的上涨。HBM晶圆与DDR5晶圆的供应比例约为3比1，这给非HBM市场的供应带来了压力。
基于其新推出的航空航天产品组合，美光计划在未来一年及以后推出更多适合太空的内存和存储解决方案，以满足下一代太空任务不断变化的需求。
据外媒报道，美光位于印度古吉拉特邦Sanand兴建中的芯片厂第一期工程，已进入无尘室验证阶段，有望在今年下半年投运。
2600 SSD顺序读写速度最高可达7200MB/秒、6500MB/秒，随机读写速度最高可达1000KIOPS、1100KIOPS。
在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后，美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。
未来，美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F
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