SKHynix
SK海力士继2017年后再度获得“最佳财务管理半导体公司奖”，并首次斩获“亚太杰出半导体企业奖”。这次双重荣誉彰显了SK海力士作为全球半导体产业标杆企业的地位。
为确保为HBM主要客户提供及时的技术支持，SK海力士正在美洲地区建立专门的HBM技术部门。此外，为了快速响应不断增长的定制HBM市场，SK海力士还成立了专门负责HBM封装良率和质量的独立部门。至此，SK海力士构建了一个涵盖从研发到量产和质量控制全流程的专业化HBM组织架构。
SK海力士表示，由于面向AI的存储器需求剧增，已经确保DRAM和NAND闪存所有产品截至明年的客户需求。
随着人工智能推理市场的快速发展，业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND闪存产品的需求正大幅攀升。为此，SK海力士将建立‘AIN（AI-NAND）Family’产品组合，以专为人工智能时代进行优化的解决方案产品，全面满足客户的多样化需求。
SK集团宣布，SK集团会长崔泰源与OpenAI首席执行官萨姆·奥尔特曼在SK集团首尔总部会面，并签署了合作意向书和谅解备忘录，旨在作为"星际之门"项目的一部分，在韩国共同开发AI数据中心。
SK海力士在HBM4的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进MR-MUF技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最大程度地降低其量产过程中的风险。
此产品搭载于智能手机，能够有效提升操作系统的运行速度和数据管理效率。基于这一优势，长期使用所导致的读取性能下降问题可改善超过4倍，而应用程序的运行时间相较传统UFS缩短了45%。
此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。
散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能，同时通过降低功耗，可延长电池续航时间并提高产品寿命。SK海力士期待该产品能够引发移动设备行业的高度关注和强劲需求。
SK海力士为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 321层4D NAND 2024-11-21
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS 4.0系列 2024-05-20
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
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