热点:消息称三星拟扩大HBM3E供应量
近期NAND Flash和DRAM价格上扬,市场需求触底反弹,再加上三星、铠侠、美光、英特尔等大客户扩大96层3D NAND出货放量,以及DDR5封装制程将由打线封装转换成晶圆级封装,存储封测大厂力成第四季营收可望创下历史新高。
新竹县30352湖口乡新竹工业区大同路10号
Micron美光
SKHynixSK海力士
Samsung三星
longsys江波龙
PHISON群联
网站简介 | 合作服务 | 帮助中心 | 问题建议 | 联系我们 | 免责声明 返回顶部
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2