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记忆体封测厂力成科技（6239）昨（25）日举行法说会，去年如预期赚进一个股本以上，每股净利10.53元，对于今年记忆体封测市场景气，力成董事长蔡笃恭抱持乐观看法。他表示，由于全球记忆体大厂均将产能转去做行动记忆体或NAND等产品，加上现在有能力以40奈米生产的DDR3 2G的DRAM厂商并不多，因此从供给面来看，可能会有吃紧的情况，将有助于价格止稳，甚至回升。

蔡笃恭指出，虽然目前看来，标准型记忆体，即DDR3现在的需求仍然很疲软，但预估不久后就会出现供给吃紧的问题了！主要原因包括，第一，在智慧型手机、平板电脑等产品推升下，NAND Flash与Mobile DRAM需求非常强劲，且毛利也比DDR3好，所以已经有很多DRAM厂将产能转到生产NAND Flash、Mobile DRAM，甚至是现在价格比较好的DDR2，进而降低了标准型记忆体的投片。

蔡笃恭指出，虽然目前看来，标准型记忆体，即DDR3现在的需求仍然很疲软，但预估不久后就会出现供给吃紧的问题了！主要原因包括，第一，在智慧型手机、平板电脑等产品推升下，NAND Flash与Mobile DRAM需求非常强劲，且毛利也比DDR3好，所以已经有很多DRAM厂将产能转到生产NAND Flash、Mobile DRAM，甚至是现在价格比较好的DDR2，进而降低了标准型记忆体的投片。

第二，仅存的几家DRAM厂，为了站在损平点之上，DRAM业者均倾尽全力推进制程，着手导入40奈米，不过初期仍有良率问题需克服。另一方面，DDR3 1Gb价格偏低，没有办法赚钱的情况下，全部都转进生产DDR3 2Gb的产品，所以将造成DDR3 1Gb供给量大减，加上DDR3 2Gb的产出可能会受到转制程影响，因此预料整体供给面可能出现吃紧的情况，这也将有助于价格止稳，甚至向上走扬。

蔡笃恭也提到，三星是全球最大的DRAM供给商，现在大家都处在不健康的环境，价格持续破底，三星的受伤幅度也会最大，在这种情况下，如果做的愈多赔的愈多情况下，策略上也会比较保守。

因此，整体来看，蔡笃恭强调，标准型DRAM市场看来没那么悲观，供给端上来看是有比较好的控制，市场将很快就能出现触底反弹的迹象了。

蔡笃恭也透露，去年10月到12月，在尔必达、力成、瑞晶(4932)三方共同努力下，共同将瑞晶40奈米DDR3 2Gb的良率提升到90%以上，所以从现在开始，来自于2Gb的订单急遽的增加。

虽然去年下半年以来，DRAM价格一路崩跌，今年首季价格仍在低档，所以力成第1季预估平均价格将再下跌3％，但力成表示，虽然本季受到新台币升值及大客户产能减少等冲击，但因Mobile DRAM的接单强劲，所以本季营收预估将较上季减少约3％，毛利率则因台币升值影响，可能还会下滑。

蔡笃恭表示，今年充满了挑战，也充满着机会，以DRAM来看，虽然需求仍然疲弱，但供给端已经开始控制，包括将产能转向毛利率较好的Mobile DRAM，或是转向仍然有利可图的40奈米2Gb颗粒等，其中能够提供40奈米制程的DRAM厂产能仍有限，在短的时间中2Gb颗粒会有供给吃紧现象，会让价格稳定或往上。

在NAND快闪记忆体部份，需求仍以高容量为主，受惠于智能型手机及平板电脑需求带动，力成NAND封测接单仍没有看到减缓现象，虽然大客户东芝去年跳电对其产出有影响，但对力成的影响不会太大。

力成去年资本支出约120亿元，今年降至100亿元，以今年首季约投入30亿元扩产来看，20亿元就会用在Mobile DRAM上。

蔡笃恭表示，智能型手机及平板电脑带动Mobile DRAM需求，力成接单也跳跃式成长，第1季约1,000万颗，第2季会成长1倍到2,000万颗，由于Mobile DRAM采用多颗堆叠封装，占DRAM出货比重也会提升到2成，因此第2季表现会明显优于第1季。