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三星电子正致力于提高其最新NAND V8(236 层)的产能和良率。据悉V8产品在生产之初良率并不好,但良率正在逐渐提高。业界估计,三星电子的V8 NAND良率,基于高等级(A级和B级),今年上半年低于50%,但目前已升至60%的范围。

谷歌年初时就宣布将裁员12,000 人,将影响到约6%的全职员工,波及旗下各大部门,也包括谷歌的招聘部门。

白皮书显示,SK 海力士的 DDR5 功耗比 DDR4 低 14.4%,而第四代英特尔®至强®可扩展处理器的性能效率是上一代的 2.9 倍。在采用 Xeon 的服务器中,DDR5 实现了每瓦性能的提高,与 DDR4 相比,整数计算提...

刘德音说,亚利桑那州晶圆厂是台积电第一次尝试在海外建造超大晶圆厂,台积电从3年前开始这项项目,这是一个学习的过程,这也是美国第一个如此大规模的晶圆厂。

由于全球市场DRAM价格下跌,占所有ICT出货量近一半的半导体出口同比下降 21.1%至75亿美元。

ARM昨日正式宣布重新上市,以集资额 48.7亿美元成为今年最大IPO,公司市值达545亿美元。

据悉,三星旗下DS部门的先进封装业务团队已经开始研发将FO-PLP先进封装技术用于2.5D 的芯片封装上。通过这项技术,三星预计可将SoC和HBM整合到硅中介层上,进一步构建其成为一个完整的芯片。

Solidigm D5-P5430为主流和读取密集型业务提供了优化支持,整体成本降低27%以上,存储密度提高1.5倍,能耗降低18%,可以直接替代TLC PCIe SSD的产品,与传统的TLC SSD相比,Solidigm D5-P5430可以带来高达14%的写...

新加坡无法涉足所有半导体产业领域,也可能无法涉及高端半导体领域,但在专用芯片领域仍拥有竞争优势及实力。

台积电目前正在日本九州兴建的晶圆厂,有望于2024年开始生产成熟制程芯片。台积电称其海外扩张取决于客户需求、政府支持程度和成本考量等因素。

性能方面,顺序读写速度最高可达5000MB/秒、4000MB/秒,1TB 和 2TB型号顺序读取最高可达5,150 MB/秒,随机读写最高可达460K IOPS、800K IOPS。

报道称,今年下半年,随着NAND减产规模不断扩大,韩国材料企业销量下滑也是理所当然的。在NAND需求恢复之前,销售很难反弹。

具体而言,DRAM 投资预计将同比下降19%,至 2023 年为110亿美元,但2024年将恢复至150亿美元,预计将增长40%;NAND支出2023年将减少 67%,至60亿美元,但到2024年将飙升113%,达到121亿美元。

据台媒报道,台积电于12日临时董事会中通过决议投资Arm与IMS,天风国际证券分析师郭明錤认为,台积电这两笔投资主要目的为提高垂直整合能力,以确保从目前3nm的FinFET 技术能顺利转换到2nm的GAA技术。

汽车业景气似乎依旧强劲、AI云端似乎还是很旺,工业需求持稳,但任何与消费者相关的需求仍然疲软。

股市快讯 更新于: 08-07 06:22,数据存在延时

存储原厂
三星电子68800KRW-1.57%
SK海力士258500KRW-1.90%
铠侠2333JPY-1.56%
美光科技108.780USD-0.26%
西部数据73.780USD-2.72%
闪迪42.100USD+0.41%
南亚科技43.35TWD-2.36%
华邦电子17.05TWD-3.12%
主控厂商
群联电子523TWD-1.13%
慧荣科技76.590USD+2.45%
联芸科技44.13CNY+2.03%
点序52.4TWD-1.13%
品牌/模组
江波龙89.23CNY+0.26%
希捷科技147.270USD-2.95%
宜鼎国际227.5TWD-1.30%
创见资讯96.0TWD+0.52%
威刚科技92.4TWD-0.86%
世迈科技22.900USD-0.99%
朗科科技24.49CNY+1.24%
佰维存储64.26CNY+2.05%
德明利87.50CNY-0.43%
大为股份17.15CNY+1.42%
封测厂商
华泰电子38.75TWD-2.88%
力成120.0TWD-2.04%
长电科技34.96CNY+0.63%
日月光145.0TWD-1.02%
通富微电27.73CNY+1.84%
华天科技10.18CNY+0.10%