编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 77600 | KRW | -0.51% |
| SK海力士 | 173200 | KRW | -0.23% |
| 美光科技 | 112.330 | USD | +2.40% |
| 英特尔 | 30.510 | USD | +0.46% |
| 西部数据 | 69.720 | USD | -1.12% |
| 南亚科 | 65.8 | TWD | -1.2% |
| 主控供应商 |
| 群联电子 | 710 | TWD | +1.28% |
| 慧荣科技 | 73.400 | USD | +2.37% |
| 美满科技 | 66.670 | USD | +4.47% |
| 点序 | 78.7 | TWD | -0.63% |
| 国科微 | 51.27 | CNY | +1.38% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 96.27 | CNY | -3.05% |
| 希捷科技 | 86.290 | USD | +0.56% |
| 宜鼎国际 | 287.5 | TWD | -0.35% |
| 创见资讯 | 94.5 | TWD | +0.21% |
| 威刚科技 | 104 | TWD | +2.97% |
| 世迈科技 | 18.510 | USD | +2.72% |
| 朗科科技 | 25.37 | CNY | -1.28% |
| 佰维存储 | 52.14 | CNY | -0.80% |
| 德明利 | 103.64 | CNY | +2.05% |
| 大为股份 | 11.09 | CNY | -1.42% |
| 封装厂商 |
| 华泰电子 | 61.7 | TWD | -1.75% |
| 力成 | 170 | TWD | -0.29% |
| 长电科技 | 25.77 | CNY | -1.64% |
| 日月光 | 148 | TWD | +2.42% |
| 通富微电 | 20.98 | CNY | -1.13% |
| 华天科技 | 8.19 | CNY | +0.49% |
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