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三星Note9搭载512GB容量,引爆高端旗舰机从128GB起跳

编辑:helen 发布:2018-08-20 17:05

2018上半年原厂64层3D NAND市场应用逐步扩大,下半年开始陆续量产更低成本的QLC以及96层3D NAND,使得市场NAND Flash Bit供应量大幅增加。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2018年NAND Flash价格指数已累计下滑43%,NAND Flash每GB价格下探至0.13美金,基本回到了2016年涨价时期的价格水平。

2018年NAND Flash价格下滑的同时,智能手机整体出货下滑,使得低迷的市场氛围不断扩散开来。不过,近期8月15日三星正式发布Galaxy Note 9国行版,Mobile DRAM容量配备6GB、8GB两种可选,较此前的4GB、6GB配置明显提升,使得DRAM市场供应短缺的情况一直持续,且价格居高不下。为了满足市场对DRAM的需求,三星扩大在平泽新厂的DRAM产能,SK海力士也将投资3.5兆韩元在利川建M16厂,规划将用于生产DRAM,同时在新制程转进以及良率提升等推动下,Mobile DRAM市场供应短期只是暂时,预计将在2018年底供应会有所改善。

另一方面,三星Galaxy Note 9搭载的Flash最大容量升级到512GB,容量不仅相较于去年翻倍,而且已经赶上SSD,大大满足消费者网上购物、移动支付、手机海量视频、照片等存储需求。不仅仅是三星,其他手机厂商也纷纷跟进,比如:坚果R1、OPPO Find X兰博基尼版、华为Mate RS、华硕ROG Phone等。

智能型手机容量的翻倍增加,得益于NAND Flash技术向3D NAND技术发展,2018下半年各家原厂96层3D NAND的单颗Die容量已可超过1Tbit,NAND Flash高密度发展以及价格下跌正积极推动手机旗舰机容量从128GB起跳,并向512GB迈进。

另外,苹果将在9月份召开秋季新品发布会,发布4款新iPhone,届时苹果也有望推出512GB大容量版本,我们拭目以待吧!

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