权威的存储市场资讯平台English

三星Note9搭载512GB容量,引爆高端旗舰机从128GB起跳

来源:中国闪存市场 编辑:helen 更新:2018/8/20 17:05:14

2018上半年原厂64层3D NAND市场应用逐步扩大,下半年开始陆续量产更低成本的QLC以及96层3D NAND,使得市场NAND Flash Bit供应量大幅增加。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2018年NAND Flash价格指数已累计下滑43%,NAND Flash每GB价格下探至0.13美金,基本回到了2016年涨价时期的价格水平。

2018年NAND Flash价格下滑的同时,智能手机整体出货下滑,使得低迷的市场氛围不断扩散开来。不过,近期8月15日三星正式发布Galaxy Note 9国行版,Mobile DRAM容量配备6GB、8GB两种可选,较此前的4GB、6GB配置明显提升,使得DRAM市场供应短缺的情况一直持续,且价格居高不下。为了满足市场对DRAM的需求,三星扩大在平泽新厂的DRAM产能,SK海力士也将投资3.5兆韩元在利川建M16厂,规划将用于生产DRAM,同时在新制程转进以及良率提升等推动下,Mobile DRAM市场供应短期只是暂时,预计将在2018年底供应会有所改善。

另一方面,三星Galaxy Note 9搭载的Flash最大容量升级到512GB,容量不仅相较于去年翻倍,而且已经赶上SSD,大大满足消费者网上购物、移动支付、手机海量视频、照片等存储需求。不仅仅是三星,其他手机厂商也纷纷跟进,比如:坚果R1、OPPO Find X兰博基尼版、华为Mate RS、华硕ROG Phone等。

智能型手机容量的翻倍增加,得益于NAND Flash技术向3D NAND技术发展,2018下半年各家原厂96层3D NAND的单颗Die容量已可超过1Tbit,NAND Flash高密度发展以及价格下跌正积极推动手机旗舰机容量从128GB起跳,并向512GB迈进。

另外,苹果将在9月份召开秋季新品发布会,发布4款新iPhone,届时苹果也有望推出512GB大容量版本,我们拭目以待吧!

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

股市快讯 12-11 09:51

Flash供应商
SamsungKRW40450.00+0.62%
TOSHIBAJPY3455.00-2.40%
HynixKRW65300.00-0.31%
MicronUSD34.80-1.44%
IntelUSD47.21+2.10%
WDCUSD41.66-0.88%
UNISCNY34.72+1.08%
NanyaTWD52.60+0.96%
主控供应商
PhisonTWD238.00+1.49%
SMIUSD34.44-0.43%
MarvellUSD15.35-0.58%
ASolidTWD43.300.00
RealtekTWD140.00+0.72%
GokeCNY40.13+0.22%
品牌/销售
TranscendTWD68.00-0.29%
A-DATATWD41.60+1.09%
SiSTWD9.11+0.89%
封装厂商
OSETWD12.50+2.46%
PTITWD69.60-0.71%
JCETCNY9.99+0.50%
ASETWD59.50+0.17%