编辑:AVA 发布:2019-01-07 11:17
随着人工智能(AI)、云计算、5G网络、物联网等技术的驱动下,英特尔、三星、IBM等推出STT-MRAM、ReRAM、PRAM等创新存储器技术,用于满足市场不断增长的市场需求,且以高性能、高密度、低成本等为发展方向,不断寻找更理想的存储器技术。
英特尔和美光大力推动3D Xpoint技术的普及,尤其是英特尔,基于该技术推出面向消费类和企业级市场的傲腾SSD产品,第二代3D Xpoint将于2019年面世。3D Xpoint容量比DRAM高出十倍,读写速度与耐受度更是NAND Flash千倍,是一个相当重要的存储器技术变革。
ReRAM技术是以材料的电阻变化为基础,目前主要有两种方法来改变电阻的机制。第一种相变化存储器,是利用材料融化后冷却速度的不同,让材料产生不同的导电能力;第二种方法则是透过高压加热,在电极间形成金属线降低电阻。
NIST与普渡大学团队尝试利用能形成原子薄层的金属二硫属化物,打造不同于上述两种方式的新型态ReRAM。这种材料能在奈秒间完成资料写入,并在断电后保留资料。除了普渡大学外,密西根大学(University of Michigan)的研究团队也投入了类似的研究,不过是利用磁场控制二硫化钼在绝缘和金属状态间的转换。然不论是透过薄层排列或磁场,目前这些ReRAM技术离规模化与电子制造,都还有一段不短的距离。
STT-MRAM可高速运转,耗能却极低,可望成为新一代储存技术。日本东北大学成功研发出储存密度高达128Mb的自旋转移力矩式存储器(STT-MRAM),写入速度竟达14奈秒(ns),堪称全球100Mb以上STT-MRAM之中写入速度最快,可望应用于嵌入式存储器应用,例如物联网(IoT)和人工智能(AI)的缓存。
三星曾在2017年就宣布推出了MRAM,号称读写速度比NAND Flash快上一千倍。此外,联电与美商Avalanche合作开发28纳米嵌入式非挥发性MRAM技术,应用锁定在物联网、穿戴设备以及工业、车用电子市场。IBM与格罗方德(Global Foundries)合作,在22nm FD-SOI工艺基础上制造MRAM。
PCM是一种非易失存储技术,也称为 PRAM(Phase-change RAM),利用特殊材料在不同相间的电阻差异来存储信息。相较传统的存储技术,PCM 的优点是读写速度快、耐用、非挥发性等,读取速度大大领先于NAND Flash,写入次数也远高于NAND Flash。
IBM 成功研发出每存储单元可存 3 个 bit的PCM 技术,且不受周围温度影响,未来PCM生产成本将会低于DRAM,甚至可以降至与NAND Flash相当的水平。江苏时代芯存半导体有限公司PCM项目将于2019年Q1实现量产,该公司是IBM在中国唯一的PCM技术授权单位,该PCM生产项目总投资130亿元,一期投资43亿元。
存储原厂 |
三星电子 | 77300 | KRW | +1.31% |
SK海力士 | 177700 | KRW | +4.16% |
美光科技 | 111.58 | USD | -0.18% |
英特尔 | 35.11 | USD | +1.77% |
西部数据 | 69.44 | USD | -0.16% |
南亚科 | 65.5 | TWD | -0.15% |
主控供应商 |
群联电子 | 708 | TWD | +1.72% |
慧荣科技 | 72.93 | USD | -1.09% |
美满科技 | 67.48 | USD | +4.06% |
点序 | 78 | TWD | -0.13% |
国科微 | 48.74 | CNY | +2.33% |
品牌/模组 |
江波龙 | 100.78 | CNY | +3.00% |
希捷科技 | 87.26 | USD | +0.17% |
宜鼎国际 | 287 | TWD | +1.41% |
创见资讯 | 90.8 | TWD | +0.78% |
威刚科技 | 99.9 | TWD | +1.22% |
世迈科技 | 18.49 | USD | +4.11% |
朗科科技 | 25.77 | CNY | +3.45% |
佰维存储 | 52.24 | CNY | +6.18% |
德明利 | 103.20 | CNY | +10.00% |
大为股份 | 11.36 | CNY | +3.09% |
封装厂商 |
华泰电子 | 63.1 | TWD | +0.8% |
力成 | 173.5 | TWD | +0.29% |
长电科技 | 25.14 | CNY | +3.41% |
日月光 | 143.5 | TWD | -1.03% |
通富微电 | 20.84 | CNY | +4.15% |
华天科技 | 7.85 | CNY | +3.15% |
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