东芝(Toshiba)半导体事业在2013年中,因主力产品NAND Flash需求回稳转亏为盈;相对于主要对手三星电子(Samsung Electronics)在2013年便开始生产的3D NAND,东芝则先走向更精细制程,随后才进行3D化配线。
东芝半导体与储存(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长成毛康雄表示,由于智能手机与平板计算机需求,2014年市场仍有4~5成的成长率,因此东芝的NAND Flash与模块化后的eMMC内嵌存储器需求均可乐观。
相对于三星率先进入3D NAND领域,成毛康雄表示,东芝NAND Flash已用1ynm(相当于19纳米)制程以降低成本,且进一步将采用1znm等级制程,然后再推出3D BiCS技术的3D NAND产品。
成毛康雄表示,东芝认为3D配线是缩减NAND Flash占用面积的技术之一,与1ynm或1znm目标相同,没有先进或落后的问题;东芝的3D BiCS技术,便是1znm制程的3D NAND,可结合更细线路与3D配线的优点,在1znm产品推出后再上市,将可进一步缩减占用面积与成本。
而东芝发展中的磁性随机存储器STT-RAM预计将在2014年推出样品,目标是2015年起量产,初步将取代PC中的快取存储器,最终将取代DRAM。
另一重点产品系统LSI,目前市场竞争严重,短期仍难转亏为盈,但因汽车、医疗系统、传感器相关市场的系统LSI需求,长期看好,故东芝将放眼长期市场进行研发。
而东芝的分立器件(Discrete Semiconductor)部门,在2011年9月泰国洪水中损失惨重,却也藉此淘汰落伍设备,2013年夏季重新开工,目前MOSFET与白光LED除有GaN系列8寸晶圆产品外,还研发SiC系列产品,均将于2014年中推出样品。