摩尔定律(Moore’s Law)未来在20奈米制程以下将逐渐到达临界点，NAND Flash和DRAM技术已开始面临瓶颈，因此各种新世代内存技术百花齐放，都想藉此取代既有内存架构；美光(Micron)日前正式和Unity半导体合作开发CMOx技术，目标是未来能取代现有的NAND Flash技术，Unity也希望藉由和美光的合作，将CMOx技术商品化且导入终端储存应用中。
CMOx技术是1种非挥发性(non-volatile)固态内存(solid state memory)的制造技术。根据英特尔(Intel)共同创办人Gorden Moore在1965年所提出的摩尔定律，集成电路上的晶体管数目约隔2年会增加1倍，之后每2年的频率更正为每18个月，过去40多年中，摩尔定律在半导体产业几乎是奉为圭臬，但走到20奈米制程以下，摩尔定律逐渐面临瓶颈。
2011年NAND Flash技术主流会由20奈米技术接下主流地位，而DRAM技术会逐渐走到30奈米，很多下世代内存的声浪开始出现，包括相变化内存(PCM or PRAM)、PRAM(Phase Change RAM)、MRAM (Magnetic RAM)、R-RAM(Resistive Random-Access Memory)等，都是来势汹汹，多数内存大厂也都是多项压宝，因此目前尚没有任何1个新世代内存是能呈献压倒性胜出。
美光日前宣布与Unity半导体公司合作，共同研发CMOx技术，它是1种非挥发性固态内存制造技术，未来可望能取代现有的NAND Flash技术。
Unity半导体研发CMOx技术已有8年时间，这次和美光合作，一方面美光希望能多方发展新世代内存技术，另一方面Unity也希望藉由美光之力让CMOx技术加速商品化，双方的合作预计在未来2年内完成。
NAND Flash市场大饼1年规模约200亿美元，不论在产值或应用广度，在内存产业中都成长相当快速，应用领域从最早MP3播放器、随身碟、快闪记忆卡、固态硬盘(SSD)到2011年爆红的平板计算机和智能型手机都用到内嵌式内存如eMMC，成长脚步没有停滞，反而是使用容量大幅倍增。
据了解，Unity预计在2012年可推出64Gb产品并，甚至可能推出256Gbit产品，规划是采40奈米制程技术生产。Unity的CMOx是1种采用导电金属氧化物(CMO)元素的电阻变化式内存，其内存单元的结构不包括晶体管，未来也可做3D堆栈，1个内存单元可以储存至少2位的数据。
Unity表示，CMOx技术强调更高密度、速度更快、低生产成本和高稳定度，未来Unity会提供技术给内存厂，类似技术授权方式，同时也会直接销售CMOx技术产品到储存市场。
整体来看，目前新世代内存技术百家争鸣，在20奈米或10奈米以下，NAND Flash和DRAM技术要再微缩下去的确面临挑战，各种新技术都想取而代之，而过去没有参与此产业的业者，也想藉由这次的技术大改革下，取得一席之地。
以现有的内存大厂如三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)等，几乎都是多方压宝，在资金和资源许可的范围内，同时投入技术开发，为了在新世代技术中抢得一定地位。
